GB／T 11344-2021  無(wú)損檢測(cè) 超聲測(cè)厚

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接觸不良可引起信號(hào)聲能損失以及信號(hào)和聲束傳播路徑的改變。 6.1.2如果測(cè)量表面存在涂層，涂層應(yīng)與材料結(jié)合良好，允許表面存在緊貼型涂層如涂漆、法瑯等。僅 有少數(shù)測(cè)厚儀可測(cè)出涂層厚度。當(dāng)測(cè)量有涂層的產(chǎn)品厚度時(shí)，涂層的厚度和聲速應(yīng)該是已知的，否則應(yīng) 采用方法3（多次回波法）進(jìn)行測(cè)量。 6.1.3一般腐蝕、磨蝕產(chǎn)品表面比較粗糙，有點(diǎn)蝕或其他缺陷（參見(jiàn)附錄B）。腐蝕表面應(yīng)打磨去除銹 斑，打磨時(shí)厚度不應(yīng)減小到可接受的最小值以下

6.2.1.1超聲測(cè)厚通常應(yīng)用在以下兩個(gè)領(lǐng)域： 制造過(guò)程測(cè)量； 在役剩余壁厚測(cè)量。 6.2.1.2應(yīng)根據(jù)被測(cè)產(chǎn)品的材料、幾何形狀和厚度以及測(cè)量精度的要求，選擇合適的儀器和測(cè)量方法， 參見(jiàn)附錄C和附錄D。 6.2.1.3厚度測(cè)量的精度取決于聲波時(shí)間的測(cè)量精度。采用不同的方式進(jìn)行時(shí)間測(cè)量（過(guò)零測(cè)量，前沿 測(cè)量，峰值測(cè)量），方法3（多次回波法）精度均高于方法1和方法2；依據(jù)不同的頻率進(jìn)行測(cè)量時(shí)瀝青路面標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范范本，高頻探 頭比低頻探頭的測(cè)量精度高。 6.2.1.4若被測(cè)產(chǎn)品的測(cè)厚區(qū)域較大，宜采用均勻的測(cè)量間距，推薦使用網(wǎng)格。網(wǎng)格尺寸宜結(jié)合工作量 和測(cè)量結(jié)果的代表性綜合考慮確定

6.2.1.1超聲測(cè)厚通常應(yīng)用在以下兩個(gè)領(lǐng)域：

6.2.2制造過(guò)程測(cè)量

6.2.2.1采用脈沖回波法測(cè)量時(shí)（方法1、方法2和方法3），參見(jiàn)附錄C（圖C.1和圖C.2）。測(cè)量清潔、 平行的表面時(shí)，可選用簡(jiǎn)單的數(shù)字直讀超聲測(cè)厚儀。當(dāng)測(cè)量中除了底面回波還有其他回波時(shí)，如復(fù)合材 料的測(cè)量，宜采用帶^掃描顯示的超聲測(cè)厚儀或^掃措描顯示的超聲探傷儀， 6.2.2.2當(dāng)被測(cè)產(chǎn)品對(duì)超聲具有高衰減性或厚度較大，回波幅度較小無(wú)法獲取時(shí)，可選擇方法4進(jìn)行測(cè) 量。此時(shí)儀器應(yīng)具有獨(dú)立的發(fā)射和接收功能（TR方法），測(cè)量時(shí)將兩個(gè)探頭分別放置在被測(cè)產(chǎn)品的正

6.2.3在役剩余壁厚測(cè)

6.2.3.1在役測(cè)量主要應(yīng)用于腐蝕、磨蝕產(chǎn)品的剩余厚度測(cè)量。建議使用雙晶探頭，低反射回波區(qū)域的 測(cè)量可適當(dāng)提高增益 6.2.3.2測(cè)量有位置信息的大量數(shù)據(jù)點(diǎn)時(shí)，宜使用有數(shù)據(jù)記錄功能的儀器。 6.2.3.3在役測(cè)量時(shí)，測(cè)量設(shè)備在測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)能承受高溫、苛刻的環(huán)境條件或電磁干擾。 6.2.3.4在役厚度測(cè)量的方法參見(jiàn)附錄C(圖C.3和圖C.4）

5.3.1寬頻帶探頭比窄頻帶探頭激發(fā)時(shí)間更短的脈沖波，具有更好的分辨力，一般用于涂層或薄板的 測(cè)厚。在測(cè)量高衰減材料時(shí)，寬頻帶探頭獲得更穩(wěn)定的回波 6.3.2探頭尺寸和頻率的選擇應(yīng)能獲得較窄的聲束寬度，以精確測(cè)量限定的區(qū)域，并能穿透整個(gè)厚度 范圍。 6.3.3對(duì)于薄的材料一般使用高阻尼、高頻率探頭高頻（10MHz或更高）延識(shí)塊探頭可用于

6.3.4當(dāng)測(cè)量較小厚度的產(chǎn)品時(shí)，可使用延遲塊探頭采用方法2或方法3進(jìn)行測(cè)量。當(dāng)延遲塊材料聲 阻抗較低時(shí)，如塑料延遲塊放在金屬上測(cè)量，界面回波產(chǎn)生相位轉(zhuǎn)變，應(yīng)校正以獲得準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果。 有些測(cè)厚儀具備自動(dòng)校正功能。 6.3.5當(dāng)材料表面溫度較高，延遲塊做為熱屏障使用時(shí)，延遲塊應(yīng)能承受被測(cè)產(chǎn)品的溫度。測(cè)量前應(yīng) 了解溫度對(duì)延遲塊聲特性的影響（聲衰減和聲速漂移）。探頭制造商應(yīng)提供探頭可使用的溫度范圍和測(cè) 量溫度下的使用時(shí)間。 6.3.6根據(jù)不同的厚度和材料，探頭頻率范圍可從測(cè)量高衰減材料使用的100kHz到測(cè)量薄金屬片使 用的50MHz。 6.3.7如使用雙晶探頭，應(yīng)對(duì)聲波傳輸V型路徑的誤差進(jìn)行補(bǔ)償。通常在測(cè)量薄材料時(shí)雙晶探頭的傳 番時(shí)間與厚度不再有線性關(guān)系，測(cè)量的厚度越小，這種非線性越嚴(yán)重。變化示意圖見(jiàn)圖2a)所示，典型 的誤差值見(jiàn)圖2b）

程提高與厚度減少的比例示

6.3.8在弧面上測(cè)量時(shí)，應(yīng)保證探頭直徑遠(yuǎn)小于被測(cè)區(qū)域

6.3.8在弧面上測(cè)量時(shí)，應(yīng)保證探頭直徑遠(yuǎn)小于被測(cè)區(qū)域

6.4特殊條件下的厚度

圖2雙晶探頭的非線性

6.4.1.1應(yīng)嚴(yán)格遵守關(guān)于安全使用化學(xué)品及電氣設(shè)備的法規(guī)及程序， 6.4.1.2如要求高精度測(cè)量，宜在與被測(cè)產(chǎn)品環(huán)境溫度相同時(shí)使用校準(zhǔn)試塊或參考試塊進(jìn)行

6.4.2溫度0℃以下的測(cè)量

2.1對(duì)于0℃以下 重環(huán)境溫度 .2.2當(dāng)溫度低于一20℃時(shí) 造商建議限制接觸被測(cè)產(chǎn)品時(shí)間

6.4.3高溫環(huán)境下的測(cè)量

.3.1當(dāng)溫度高于60℃時(shí)，應(yīng)使用高溫探頭，且耦合劑應(yīng)滿足在檢測(cè)溫度下的使用要求。 3.2在使用A掃描顯示探傷儀時(shí)，儀器宜具有鎖屏功能，以利于檢測(cè)人員評(píng)估響應(yīng)信號(hào)。探頭 觸時(shí)間應(yīng)限定在制造商建議測(cè)量所需的最短時(shí)間內(nèi)

6.4.4危險(xiǎn)環(huán)境下的測(cè)量

現(xiàn)行的安全法律法規(guī) 6.4.4.2在腐蝕性環(huán)境中，耦合劑不應(yīng)與環(huán)境發(fā)生不良反應(yīng)，并應(yīng)保持其聲學(xué)性能

6.4.4.2在腐蝕性環(huán)境中，耦合劑不應(yīng)與環(huán)境發(fā)生不良反應(yīng)，并應(yīng)保持其聲學(xué)性

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7.1帶A掃描顯示的超聲探傷儀設(shè)置

7.1.1帶A掃描顯示的超聲探傷儀與直接接觸單晶片探頭的終

7.1.1.1顯示起點(diǎn)與初始脈沖同步，時(shí)基線應(yīng)是線性的。整個(gè)厚度范圍均在Λ掃措上顯示。 7.1.1.2對(duì)延時(shí)控制進(jìn)行微調(diào)，減去保護(hù)膜中的傳播時(shí)間。校準(zhǔn)試塊至少提供覆蓋所測(cè)厚度范圍的兩 個(gè)厚度，以校準(zhǔn)整個(gè)測(cè)量范圍的精度。 7.1.1.3探頭放在已知厚度的試塊上，調(diào)整儀器控制（聲速校準(zhǔn)、范圍、掃描或聲速）直到回波顯示適當(dāng) 的厚度讀數(shù)， 7.1.1.4在讀數(shù)值小于該厚度值的試塊上檢查和調(diào)整，以提高系統(tǒng)的精度。必要時(shí)在階梯試塊的中間 厚度上再進(jìn)行驗(yàn)證

7.1.2帶A掃描顯示的超聲探傷儀與延時(shí)塊單晶片探頭組合

7.1.2.1使用延時(shí)塊單晶片探頭時(shí)，儀器應(yīng)能校正通過(guò)延時(shí)塊的時(shí)間，以便延時(shí)結(jié)束時(shí)能對(duì)應(yīng)零厚度。 儀器應(yīng)具備“延時(shí)”控制，或電子自動(dòng)調(diào)零功能。 7.1.2.2若可預(yù)先調(diào)整到某給定材料的聲速，則可通過(guò)調(diào)整延時(shí)控制直到儀器顯示正確厚度值的方法 標(biāo)定；若無(wú)法設(shè)定聲速，也可采用如下方法進(jìn)行儀器設(shè)置 a） 至少使用兩個(gè)試塊。一個(gè)試塊厚度不小于測(cè)量范圍的最大值，另一個(gè)試塊厚度不大于測(cè)量范 圍的最小值。為方便起見(jiàn)，厚度宜是整數(shù)，使厚度之差也是整數(shù)值， 6） 探頭依次放在兩個(gè)試塊上，分別調(diào)整聲速校準(zhǔn)功能，取得兩者厚度讀數(shù)差。調(diào)整直至厚度讀數(shù) 差等于實(shí)際厚度差，材料厚度范圍調(diào)整正確 7.1.2.3另一種延時(shí)塊探頭的調(diào)整方法是7.1.2.2規(guī)定方法的變化。按步驟進(jìn)行一系列調(diào)整后，使用延 時(shí)控制在薄試塊上提供正確讀數(shù)和“范圍”控制功能在厚試塊上校準(zhǔn)讀數(shù)。有時(shí)適度的過(guò)校準(zhǔn)是有用 的。當(dāng)兩個(gè)讀數(shù)正確時(shí)，儀器調(diào)整完畢

3帶A掃描顯示的超聲探傷儀與雙品探頭的組

7.1.3.17.1.2.2規(guī)定的方法也適用于雙晶探頭測(cè)量大于3mm厚度范圍的儀器設(shè)置。由于聲速傳播的 聲程是V字型，因此對(duì)于小于3mm厚度測(cè)量存在固有的誤差。傳播時(shí)間與厚度不再成線性關(guān)系，測(cè) 量的厚度越小，這種非線性越嚴(yán)重。見(jiàn)圖2所示。 7.1.3.2在厚度接近且非常薄的有限范圍內(nèi)測(cè)量時(shí)，可在適當(dāng)?shù)谋≡噳K上采用7.1.2.2規(guī)定的方法校準(zhǔn) 儀器，得出在有限范圍內(nèi)近似正確的校準(zhǔn)曲線。此時(shí)測(cè)量較厚產(chǎn)品會(huì)產(chǎn)生誤差。 7.1.3.3若測(cè)量厚度范圍較大，則按7.1.2.2規(guī)定的方法校準(zhǔn)。使用兩塊試塊，一塊為最大厚度，另一塊 的厚度為最大厚度和最小厚度的中間值。此時(shí)進(jìn)行薄端測(cè)量會(huì)產(chǎn)生誤差

7.1.4厚部件高精度測(cè)厚的儀器設(shè)置

7.1.4.1基本設(shè)置按7.1.1規(guī)定的方法進(jìn)行。校準(zhǔn)試塊應(yīng)精確校準(zhǔn)整個(gè)掃描距離的厚度值，即滿屏大約 10mm或25mm 7.1.4.2基本設(shè)置完成后，調(diào)整掃描延時(shí)。例如被測(cè)產(chǎn)品標(biāo)稱厚度是50mm～60mm，校準(zhǔn)試塊是 0mm，厚度范圍也是50mm～60mm。調(diào)整延時(shí)控制使校準(zhǔn)試塊的第五次背面反射等于50mm，與 1掃描顯示上參考零點(diǎn)重合，第六次背面回波應(yīng)位于校準(zhǔn)掃描線的右側(cè)。 7.1.4.3設(shè)置結(jié)束后可在已知近似總厚度的試塊上進(jìn)行驗(yàn)證，

7.1.4.1基本設(shè)置按7.1.1規(guī)定的方法進(jìn)行。校準(zhǔn)試塊應(yīng)精確校準(zhǔn)整 10mm或25mm 7.1.4.2基本設(shè)置完成后，調(diào)整掃描延時(shí)。例如被測(cè)產(chǎn)品標(biāo)稱厚度是50mm～60mm，校準(zhǔn)試塊是 10mm，厚度范圍也是50mm~60mm。調(diào)整延時(shí)控制使校準(zhǔn)試塊的第五次背面反射等于50mm，與 1掃描顯示上參考零點(diǎn)重合，第六次背面回波應(yīng)位于校準(zhǔn)掃描線的右側(cè)。 7.1.4.3設(shè)置結(jié)束后可在已知近似總厚度的試塊上進(jìn)行驗(yàn)證，

7.1.4.4在未知試塊上取得的讀數(shù)應(yīng)加上被延時(shí)在熒光屏以外的值。例如，如果讀數(shù)是4mm，則總厚 度為54mm

高表減材科可米用方法4（牙透法） 射脈沖指示可用于表示零時(shí)間脈沖，將其設(shè)置為 零刻度，并將接收到的脈沖信號(hào)位置設(shè)置與刻度上 上的已知厚度對(duì)齊

7.2數(shù)字直讀式超聲測(cè)厚儀的設(shè)置

7.2.1儀器應(yīng)有“聲速設(shè)定”（或"材料選擇”或“聲速校正”）和"零位校正”功能。 7.2.2通常采用與被測(cè)產(chǎn)品材料相同的試塊，一塊厚度不小于待測(cè)厚度最大值，另一塊不大于待測(cè)厚 度的最小值 7.2.3探頭置于較厚試塊上，調(diào)整儀器的聲速設(shè)定”，使測(cè)厚儀顯示讀數(shù)接近已知值， 7.2.4探頭置于較薄試塊上，調(diào)整儀器的“零位校正”，使測(cè)厚儀顯示讀數(shù)接近已知值， 7.2.5反復(fù)進(jìn)行7.2.3和7.2.4，直到厚度量程的高低兩端都得到正確讀數(shù)為止。 7.2.6若已知材料聲速，則可預(yù)先設(shè)定聲速值，然后測(cè)量?jī)x器附帶的薄鋼試塊，調(diào)節(jié)“零位校正”，使儀 器顯示出不同材料換算后的顯示值

7.3帶有A掃描的超聲測(cè)厚儀的設(shè)置

接顯示厚度的入掃描測(cè)厚儀的設(shè)置見(jiàn)7.1和7.2

殊檢測(cè)條件下測(cè)厚時(shí)儀器

特殊檢測(cè)條件下測(cè)厚時(shí)儀器的設(shè)置見(jiàn)附錄E。

發(fā)生以下情況時(shí)應(yīng)進(jìn)行儀器設(shè)置的核查 所有測(cè)量工作完成時(shí)； b) 工作期間定期檢查，每天至少一次； C) 在探頭或探頭線更換時(shí)； 被測(cè)材料類型改變時(shí)； e) 材料或儀器溫度顯著變化時(shí)； f) 儀器設(shè)置改變時(shí)； 按其他質(zhì)量文件規(guī)定的核查時(shí)間

應(yīng)按照現(xiàn)場(chǎng)操作的實(shí)際情況詳細(xì)記錄測(cè)量過(guò)程的有關(guān)信息和數(shù)據(jù)。除合同要求的信息外，還至少 包含以下內(nèi)容： 檢測(cè)單位； b） 檢測(cè)日期； 測(cè)量地點(diǎn)； d） 材料類型； ）被洲產(chǎn)品的一般措述：

GB/T11344—2021 f) 測(cè)量要求； g) 參考文件編號(hào)； h) 測(cè)量結(jié)論（或數(shù)據(jù)）； 測(cè)量和復(fù)核人員

一般包含以下內(nèi)容： a) 測(cè)量方法； b) 測(cè)量點(diǎn)位置描述/或標(biāo)示； c) 設(shè)備型號(hào)和序列號(hào)； d) 探頭型號(hào)（包括探頭尺寸/頻率）和序列號(hào)； e) 校準(zhǔn)試塊（如使用）； f) 耦合劑類型； 8) 原始厚度（如需要）和允許的公差（如果已知）； h) 測(cè)量結(jié)果（表和/或圖）； i) 測(cè)量位置的圖紙/草圖； j) 目視檢查/條件注釋（如需）； k) 不連續(xù)部位示意圖（如需）

常見(jiàn)的工程材料聲速值參見(jiàn)表入.1

1常見(jiàn)工程應(yīng)用材料的超聲聲速表

見(jiàn)工程應(yīng)用材料的超聲

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表A.1常見(jiàn)工程應(yīng)用材料的超聲聲速表（續(xù)）

（資料性） 容器和管道腐蝕的超聲測(cè)厚

容器和管道等部件的腐蝕可能由不同的機(jī)理引起。表B.1給出了不同腐蝕機(jī)理產(chǎn)生的腐蝕形 超聲測(cè)量材料剩余厚度的指導(dǎo)方法，

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B,2 一般腐純的測(cè)量

2.1.1表面條件不滿足要求，被測(cè)產(chǎn)品中存在夾雜或較厚涂層，儀器不能提供可靠的讀數(shù)時(shí)，宜使 A掃描顯示的超聲探傷儀， .1.2測(cè)量表面有涂層并且需從結(jié)果中去除涂層厚度時(shí)，宜選擇使用方法3的儀器。 .1.3在給定區(qū)域內(nèi)找到最薄點(diǎn)時(shí)，宜使用A掃描顯示測(cè)厚儀或探傷儀

3.2.2.1探頭的選擇取決于儀器類型、材料厚度、表面狀況和涂層條件。 3.2.2.2 對(duì)于數(shù)字直讀式超聲測(cè)厚儀，宜使用制造商規(guī)定的探頭。 B.2.2.3 對(duì)于帶A掃描顯示的儀器，宜遵循以下準(zhǔn)則選擇探頭。 探頭頻率的選擇，宜使其在被測(cè)材料中的波長(zhǎng)至少是被測(cè)厚度的1.5倍（參見(jiàn)附錄D的D.1.3）。 被測(cè)產(chǎn)品厚度不小于10mm時(shí)，宜選擇單晶探頭。多次回波技術(shù)（方法3）僅適用于單晶 探頭，

.2.1探頭的選擇取決于儀器類型、材料厚度、表面狀況和涂層條件。 .2.2對(duì)于數(shù)字直讀式超聲測(cè)厚儀，宜使用制造商規(guī)定的探頭。 .2.3對(duì)于帶A掃描顯示的儀器，宜遵循以下準(zhǔn)則選擇探頭。 探頭頻率的選擇，宜使其在被測(cè)材料中的波長(zhǎng)至少是被測(cè)厚度的1.5倍（參見(jiàn)附錄D的D.1.3） 被測(cè)產(chǎn)品厚度不小于10mm時(shí)，宜選擇單晶探頭。多次回波技術(shù)（方法3）僅適用于單 探頭

B.2.2.1探頭的選擇取決于儀器類型、材料厚度、表面狀況和涂層條件。

被測(cè)產(chǎn)品厚度小于10mm時(shí)，宜選擇雙晶探頭進(jìn)行測(cè)量， 被測(cè)產(chǎn)品厚度小于5mm時(shí)，宜使用具有特殊焦距的雙晶探頭進(jìn)行測(cè)量， 被測(cè)產(chǎn)品表面是曲面時(shí)，宜選擇合適的探頭晶片直徑滿足聲耦合要求。 對(duì)有涂層的被測(cè)產(chǎn)品，宜選擇單晶探頭結(jié)合方法3進(jìn)行測(cè)量，允許補(bǔ)償涂層厚度

宜使用帶^掃描的儀器5.1.1b)或5.1.1c)測(cè)量可能出現(xiàn)點(diǎn)蝕的厚度

雙晶探頭檢測(cè)點(diǎn)蝕，探頭焦距長(zhǎng)度應(yīng)能達(dá)到點(diǎn)蝕

在厚度范圍覆蓋被測(cè)產(chǎn)品厚度的階梯試塊上進(jìn)行儀器的設(shè)置。試塊材料和溫度應(yīng)與被測(cè)產(chǎn)品 在懷疑有小直徑點(diǎn)蝕時(shí)，應(yīng)在深度與點(diǎn)蝕距離相同的小直徑平底孔試塊上確定檢測(cè)靈敏度進(jìn)行 驗(yàn)證。

3.4.1測(cè)量點(diǎn)蝕時(shí)，應(yīng)使用第一個(gè)底面回波，來(lái)自點(diǎn)蝕的回波可能與底面回波同時(shí)出現(xiàn)。 3.4.2如果反射回波不能確定為腐蝕或夾雜時(shí)，宜使用斜探頭進(jìn)行確認(rèn)�？墒褂�45°（K1）探頭進(jìn) 雜物和點(diǎn)蝕的區(qū)分

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（資料性） 測(cè)量方法選擇

.1制造規(guī)程中被測(cè)產(chǎn)品高精度厚度測(cè)量流程圖

圖C.2制造規(guī)程中被測(cè)產(chǎn)品厚度測(cè)量流程圖

圖C.4在役過(guò)程中被測(cè)產(chǎn)品溫度大于60C且為點(diǎn)蝕狀態(tài)時(shí)的厚度測(cè)量流程圖

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儀器計(jì)時(shí)電路的線 材料厚度的變 化產(chǎn)生厚度指示的相應(yīng)變化，如果用 我性依據(jù)相應(yīng)文件進(jìn)行校準(zhǔn)，

D.1.3.1范圍是儀器實(shí)際可測(cè)量的厚度范圍。數(shù)字儀器顯示屏上的數(shù)字位數(shù)只是可顯示的厚度范圍。 D.1.3.2儀器的最小測(cè)量范圍與探頭頻率和使用條件有關(guān)，最大測(cè)量范圍通常由探頭頻率和被測(cè)產(chǎn)品 （材料條件等決定。通常探頭的最小測(cè)厚范圍由其頻率和待檢材料的聲速?zèng)Q定。選擇探頭時(shí)要使其最 小可測(cè)厚度低于待測(cè)最小厚度。理論上認(rèn)為，在一定速度下，測(cè)量最小范圍不小于1個(gè)波長(zhǎng)

D.2.1 表面條件

清潔度影響其厚度測(cè)量結(jié)果。在測(cè)量前去除附著

).2.1.2.1粗糙度影響測(cè)量準(zhǔn)確度，并改變界面處的反射和透射系數(shù)。在粗糙度較大的情況下測(cè)量，聲 程增加，接觸面減小，導(dǎo)致測(cè)量值偏高。測(cè)量不確定度隨厚度減小而增加。 0.2.1.2.2材料底面粗糙可引起聲波失真，導(dǎo)致測(cè)量誤差。粗糙表面對(duì)測(cè)量靈敏度有影響（一般應(yīng)作局 部修磨以便耦合良好）。能得到測(cè)量結(jié)果的情況下，宜以一個(gè)測(cè)量點(diǎn)為中心，在直徑30mm圓內(nèi)做多點(diǎn) 則量，把顯示的最小值作為測(cè)量結(jié)果

D.2.1.3表面形狀

D.2.1.3.1不規(guī)則表面用接觸式探頭測(cè)量使用較厚的耦合劑時(shí)，可造成聲波失真。 D.2.1.3.2使用方法1、方法2或方法4時(shí)，聲波通過(guò)耦合層的時(shí)間包含在測(cè)量讀數(shù)中，聲速是被測(cè)材料 聲速1/4的耦合劑，導(dǎo)致實(shí)際耦合劑厚度4倍的疊加誤差。 D.2.1.3.3耦合劑適應(yīng)表面條件和表面的不規(guī)則性，確保充分的耦合

環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)0.2.2.1溫度改變聲速（在材料、延遲塊及探頭表層）和聲衰減（使聲速衰減）。

參考試樣：標(biāo)準(zhǔn)試塊、計(jì)量器具、試塊； 設(shè)備：儀器、探頭等； 工藝和方法：耦合劑、被測(cè)產(chǎn)品。 D.2.2.3隨著溫度升高，多數(shù)金屬和塑料聲速降低，玻璃和陶瓷中聲速增加。溫度每升高1℃，大多數(shù) 鋼的縱波聲速降低約0.8m/s。 D.2.2.4溫度每升高1℃，常用于探頭延遲塊的丙烯酸塑料聲速降低2.5m/s。測(cè)量時(shí)予以補(bǔ)償

2.3.1通常涂層（多層)的存在引起測(cè)量時(shí)聲程增加，即增加了反射回波的聲時(shí)。通過(guò)涂層測(cè)量 于涂層和被測(cè)產(chǎn)品的聲速不同，導(dǎo)致測(cè)量誤差。見(jiàn)圖D.1。

圖D.1涂層導(dǎo)致聲程增加

.2.3.2 與被測(cè)產(chǎn)品材料的聲學(xué)性能相似； 與被測(cè)產(chǎn)品的厚度相比具有較明顯的厚度， 0.2.3.3表面有涂層且與基體結(jié)合良好，宜使用多次回波法通過(guò)涂層進(jìn)行測(cè)厚。 0.2.3.4 聲反射不良或高衰減只能實(shí)現(xiàn)單次回波測(cè)量時(shí)，宜已知涂層厚度，并從單次回波讀數(shù)中去除 0.2.3.5若上述條件都不能滿足，則在條件允許的情況下去除涂層。

GB/T11344202

測(cè)厚部位的上下表面宜保持平行，最大不超過(guò)土10°，否則表面不平行引起的底面回波變形或消失通信標(biāo)準(zhǔn)， 導(dǎo)致無(wú)法測(cè)量或測(cè)量結(jié)果不準(zhǔn)確

測(cè)量表面曲面時(shí)，探頭 透性和重復(fù)性不好。 深頭宜與被測(cè)產(chǎn)品的曲 穿透性

頭與被測(cè)產(chǎn)品表面宜始終保持良好的耦合。小直徑被測(cè)產(chǎn)品的測(cè)量宜選用小晶片探頭。