GBT 28504.2-2021 摻稀土光纖 第2部分:雙包層摻銩光纖特性.pdf
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雙包層摻鈺光纖的機(jī)械性能要求見表3
工作溫度范圍:一15℃~70℃ 貯存溫度范圍:一20℃~75℃。 在經(jīng)過干熱試驗(yàn)、濕熱試驗(yàn)和溫度特性試驗(yàn)后,在25℃環(huán)境溫度下其對(duì)793nm波長的包層泵浦 吸收系數(shù)的變化應(yīng)不大于10%
安全生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)雙包層摻光纖的環(huán)境性能要求見表4。
雙包層摻鈺共摻光纖交貨長度不小于100m或由供需雙方商定
6.1幾何尺寸試驗(yàn)方法
雙包層摻鈺光纖幾何尺寸試驗(yàn)方法見表5
表5幾何尺寸試驗(yàn)方法
6.2光學(xué)性能試驗(yàn)方法
6.2.1包層衰減系數(shù)
6.2.2纖芯數(shù)值孔徑
6.2.3內(nèi)包層數(shù)值孔徑
采用GB/T15972.43所規(guī)定的方法進(jìn)行內(nèi)包層數(shù)值孔徑測(cè)試,當(dāng)光纖涂覆層的折射率高于外包層
的折射率時(shí),可以不必進(jìn)行包層模濾除。 一般可采用內(nèi)包層與外包層折射率計(jì)算其理論數(shù)值孔徑。
6.2.4包層泵浦吸收系數(shù)
采用附錄B方法對(duì)包層泵浦吸收系數(shù)進(jìn)行測(cè)試。
6.3機(jī)械性能試驗(yàn)方法
光纖的機(jī)械性能試驗(yàn)方溫
表6機(jī)械性能試驗(yàn)方法
6.4環(huán)境性能試驗(yàn)方法
雙包層摻鈺光纖的環(huán)境性能試驗(yàn)方法見表7
表7環(huán)境性能試驗(yàn)方法
附錄A (規(guī)范性附錄) 內(nèi)包層直徑試驗(yàn)方法
附錄A (規(guī)范性附錄) 內(nèi)包層直徑試驗(yàn)方法
雙包層摻鈺光纖內(nèi)包層形狀涉及多種多邊形,應(yīng)根據(jù)被測(cè)光纖內(nèi)包層實(shí)際情況對(duì)其內(nèi)包層直徑進(jìn) 行測(cè)試。 當(dāng)雙包層摻鈺光纖內(nèi)包層為N(N3)邊形時(shí),取任意連續(xù)不同的三條邊進(jìn)行切線圓擬合,共取 次,取3次擬合圓直徑平均值作為內(nèi)包層直徑。并取中間值擬合圓圓心作為內(nèi)包層中心與纖芯計(jì)算 纖芯/內(nèi)包層同心度誤差。例如,八邊形內(nèi)包層光纖8條邊依次為L1、L2、Ls、L4、L5、L7、L,則可取 1、L2、L三邊,取L2、L3、L三邊,取L3、L4、L,取L4、L、,取L5、L6、L取L6、L、L:三邊分別 作切線圓.如圖A.1所示
圖A.2是典型的八邊形內(nèi)包層雙包層摻鈺光纖結(jié)
八邊形內(nèi)包層切線圓示
圖A.2典型的八邊形內(nèi)包層雙包層摻光纖結(jié)構(gòu)示意圖
采用具備配套幾何尺寸擬合軟件的光學(xué)顯微鏡,
剝?nèi)ス饫w一端的涂覆層,清洗主凈,用專用光纖切割刀處理端面
將光纖放置在光學(xué)顯微鏡下通過程序擬合多邊形切線圓。
量期間.溫度15℃~35℃.相對(duì)濕度45%~60%
A.5.1接通測(cè)量系統(tǒng)相關(guān)儀器的電源,按規(guī)定進(jìn)行預(yù)熱, A.5.2把制備好端面的被測(cè)光纖放置在光學(xué)顯微鏡中。 4.5.3調(diào)整焦距及位置,保證被測(cè)光纖端面處于顯微鏡正中。 4.5.4用擬合軟件連續(xù)3次對(duì)不同三邊進(jìn)行切線圓擬合,并計(jì)算對(duì)應(yīng)切線圓直徑分別為D1、D2、D: A.5.5取三個(gè)切線圓直徑均值作為內(nèi)包層直徑D
內(nèi)包層直徑計(jì)算見公式(A.1)
3 式中: D 一一內(nèi)包層直徑,單位為微米(μm); D———(Ll、L2、L:)三邊切線圓直徑,單位為微米(um); D2——(L2、Ls、L)三邊切線圓直徑,單位為微米(um); (LL、L:)三邊切線圓直徑,單位為微米(um)
式中: 一一內(nèi)包層直徑,單位為微米(μm); D,——(L1、L2、L:)三邊切線圓直徑,單位為微米(um); D2一 (L2、L3、L。)三邊切線圓直徑,單位為微米(um) (LL、L;)三邊切線圓直徑,單位為微米(um)。
GB/T28504.22021
附錄B (規(guī)范性附錄) 包層泵浦吸收系數(shù)試驗(yàn)方法
本方法適用于雙包層摻光纖包層泵浦吸收系數(shù)效的測(cè)試。 取長度為1,的光纖,首先通過光譜儀確定激發(fā)閾值的泵浦功率,確保非激發(fā)狀態(tài)泵浦功率條件下, 以793nm波長的穩(wěn)定光源進(jìn)行包層泵浦吸收系數(shù)測(cè)量。采用功率計(jì)測(cè)試其泵浦光輸出功率值(W,)。 然后,在距離光纖輸入端l。處截?cái)嘣摴饫w,測(cè)試其輸出功率值(W。)。則包層泵浦吸收系數(shù)按照公 式(B.1)進(jìn)行計(jì)算
使用輸出波長為793nm的超輻射發(fā)光二極管(SLD)光源,光源功率應(yīng)保持在激發(fā)非線性 之下
以光電倍增管等光探測(cè)器測(cè)量譜線不同波長位置強(qiáng)度的裝置,
電倍增管等光探測(cè)器測(cè)量譜線不同波長位置強(qiáng)
用于測(cè)量絕對(duì)光功率或通過一段光纖的光功率相對(duì)損耗的儀器
剝?nèi)ス饫w兩端的涂覆層招標(biāo)投標(biāo),清洗干凈,用專用光纖切割刀處理端面
將光纖一端與泵浦光源連接,另一端與光譜儀連接。
在測(cè)量期間,溫度15℃~35℃,相對(duì)濕度45%~60%。
B.5.1接通測(cè)量系統(tǒng)相關(guān)儀器的電源,按規(guī)定進(jìn)行預(yù)熱。 B.5.2取長度為l1的光纖,將光纖兩端涂層剝除,切割端面
B.5.1接通測(cè)量系統(tǒng)相關(guān)儀器的電源,按規(guī)定進(jìn)行預(yù)熱。
B.5.3將光纖一端與光源尾纖熔接,另一端接入功率計(jì),讀取泵浦光輸出功率值(W,)。 B.5.4在距離光纖輸入端I。處截?cái)嘣摴饫w,重新熔接后測(cè)試其輸出功率值(W。)。 B.5.5包層泵浦吸收系數(shù)按照公式(B.1)進(jìn)行計(jì)算
B.5.4在距離光纖輸入端I。處截?cái)嘣摴饫w,重新熔接后測(cè)試其輸出功率值(W。)。 B.5.5包層泵浦吸收系數(shù)按照公式(B.1)進(jìn)行計(jì)算。
及收系數(shù)計(jì)算見公式(B
式中: 包層泵浦吸收系數(shù),單位為分貝每米(dB/m); W 截?cái)嗪蠊饫w輸出功率,單位為毫瓦(mW); 截?cái)嗲肮饫w輸出功率,單位為毫瓦(mW); 截?cái)嗲肮饫w長度,l范圍為5.0~7.0工程質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范范本,單位為米(m); 截?cái)嗪笫S喙饫w長度,。范圍為0.51.0,單位為米(m)
....- 稀土標(biāo)準(zhǔn)
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