laserwelding

以聚焦的激光束作為能源轟擊焊件所產(chǎn)生的熱量進(jìn)行焊接的 工藝。

市政工程施工組織設(shè)計braze welding

在電路板特定區(qū)域運(yùn)用機(jī)械的、化學(xué)的、電化學(xué)的、物理的方 法施加塑性的或非塑性的非導(dǎo)電薄層涂料，起環(huán)境保護(hù)和（或）機(jī) 械保護(hù)作用。

3.1.1微組裝主要生產(chǎn)工藝應(yīng)包括芯片和基板貼裝、互連、密封 工藝；輔助工藝包括真空烘焙、清洗、涂覆、測試工藝。 3.1.2微組裝生產(chǎn)線加工工藝應(yīng)根據(jù)混合集成電路、多芯片組件 等微組裝產(chǎn)品的性能指標(biāo)與質(zhì)量要求確定

3.1.1微組裝主要生產(chǎn)工藝應(yīng)包括芯片和基板貼裝、互連、密封

1微組裝工藝應(yīng)按溫度從高逐步到低進(jìn)行操作，各工藝應(yīng)按 共晶焊、再流焊（表面組裝）、倒裝焊、粘片、引線鍵合、密封的次序 降序排列。 2半導(dǎo)體器件的貼裝，應(yīng)采取防靜電措施。 3微組裝工藝應(yīng)符合電子元器件常規(guī)組裝順序規(guī)定： 1）先粘片后引線鍵合； 2）先進(jìn)行內(nèi)引線鍵合后進(jìn)行外引線鍵合； 3）完成器件裝連后應(yīng)進(jìn)行產(chǎn)品電性能測試。 4共晶焊、再流焊、表面組裝、芯片倒裝焊后，當(dāng)有助焊劑殘 留時應(yīng)進(jìn)行清洗，芯片倒裝焊后應(yīng)進(jìn)行下填充。 5每一種微組裝工藝完成后，應(yīng)完成相應(yīng)的工序檢驗

3.2.1采用環(huán)氧貼裝工藝應(yīng)符合下列規(guī)定:

1貼裝發(fā)熱量不高、對濕氣含量無嚴(yán)格要求的中小功率器 件、無引線倒裝器件、片式元器件以及將基板貼裝到封裝外殼中 時，宜采用環(huán)氧貼裝工藝； 2有歐姆接觸要求的器件應(yīng)采用摻銀或金的導(dǎo)電環(huán)氧膠進(jìn)

3無歐姆接觸要求的器件宜采用絕緣環(huán)氧膠貼裝； 4有散熱要求的器件應(yīng)采用導(dǎo)熱環(huán)氧膠貼裝。 3.2.2環(huán)氧貼裝工藝的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定： 1應(yīng)按規(guī)定方法配制多組分漿料型環(huán)氧膠，環(huán)氧膠使用前應(yīng) 充分?jǐn)嚢杈鶆虿㈧o置或真空除泡；環(huán)氧膠在冷凍環(huán)境下貯存時，使 用前應(yīng)在室溫下放置，充分解凍； 2環(huán)氧貼裝前待貼裝件應(yīng)保持潔凈； 3可采用滴注點(diǎn)涂、絲網(wǎng)印刷、模板印刷等方法將環(huán)氧膠涂 布在基板上元器件待安裝位置，手工或采用貼裝設(shè)備將環(huán)氧膜片 排布在外殼底座上； 4將待安裝的元器件準(zhǔn)確放置在基板的環(huán)氧膠上，或?qū)⒒��?或電路功能襯底壓著在外殼底座上已排布好的環(huán)氧膜上，應(yīng)按粘 接劑的使用要求完成粘接固化； 5宜采用加熱、熱壓、紫外光照射等方法將粘接劑固化； 固化后應(yīng)清除多余的環(huán)氧膠； 應(yīng)用顯微鏡檢查芯片、器件的外觀和環(huán)氧貼裝質(zhì)量； 應(yīng)對完成貼裝后的元器件進(jìn)行端頭通斷測試。 3.2.3 環(huán)氧貼裝的工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定： 1 貼裝元器件工藝宜在等于或優(yōu)于8級凈化區(qū)中完成：； 2 固化過程應(yīng)有排風(fēng)系統(tǒng)； 3稱量、混合、配膠、清洗工序應(yīng)在通風(fēng)柜內(nèi)進(jìn)行

3.3.1再流焊工藝宜適用于元器件在基板上的表面組裝或?qū)⒒?板焊接在外殼底座中。

3.3.2再流焊工藝的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定：

應(yīng)采用軟合金焊料膏，使用前應(yīng)充分?jǐn)嚢杈鶆虿㈧o置排泡； 宜采用模板印刷、滴注點(diǎn)涂方法將適量的焊料膏涂布在基

3.4.1共晶焊工藝應(yīng)適用于要求散熱好的大功率電路芯片或基 片、要求接觸電阻小的高頻電路芯片，以及要求濕氣含量非常低的 混合電路的貼裝或封帽。

3.4.2共晶焊的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定

1共晶焊前，應(yīng)對基板和載體進(jìn)行清洗并烘干； 2應(yīng)選擇共晶焊料和焊接母體表面粗糙度； 3應(yīng)將裁剪好的合金預(yù)制焊片置于基板（外殼）底座上，將待 安裝的各元器件（基板）準(zhǔn)確放置在對應(yīng)的焊片上，通過溫度、時 間、氣氛要求完成共晶； 4采用含金的合金焊料時，芯片背面應(yīng)淀積金層；采用以錫 鋼為主要成分的低共熔溫度軟合金焊料時，芯片背面應(yīng)淀積鎳、銀 層或鎳金層； 5當(dāng)共晶焊料中含有助焊劑時，焊接后的器件應(yīng)清洗去除焊 料、焊劑的殘渣； 6焊接完成后，應(yīng)無損檢測芯片、基板外觀和焊接的空洞率。

3.4.3共晶焊的工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定： 1共晶焊工藝宜在等于或優(yōu)于8級凈化區(qū)中完成： 2共晶焊應(yīng)在氮?dú)饣虻獨(dú)浠旌蠚怏w的保護(hù)氣氛中進(jìn)行； 3當(dāng)共晶焊與環(huán)氧貼裝用于同一電路時，應(yīng)先完成操作溫度 高的共晶焊再進(jìn)行環(huán)氧貼裝； 4手動共晶焊工藝可使用壓縮空氣； 5多個工序采用共晶焊工藝時，前道工序選用焊料的共晶溫 度應(yīng)高于后道工序

1引線鍵合工藝適用于將電路內(nèi)部的芯片、基板、外殼引腳 上的金屬化鍵合區(qū)一一對應(yīng)互連形成電氣連接； 2按所施加能量方式的不同，引線鍵合工藝可分為熱壓鍵 合、超聲波鍵合、熱壓超聲波鍵合； 3按引線鍵合形式的不同，引線鍵合工藝可分為球形鍵合和 楔形鍵合； 4按鍵合材料的不同，引線鍵合工藝可分為金絲鍵合、鋁絲 鍵合、鋁硅絲鍵合、銅絲鍵合。

筷形鍵合； 4按鍵合材料的不同，引線鍵合工藝可分為金絲鍵合、鋁絲 鍵合、鋁硅絲鍵合、銅絲鍵合。 3.5.2引線鍵合的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定： 1引線鍵合前宜先校驗引線鍵合規(guī)范，確認(rèn)工藝參數(shù)的穩(wěn)定 性，并檢查基板材料可鍵合性； 2鍵合前應(yīng)保證鍵合區(qū)域清潔； 3應(yīng)根據(jù)裝配圖紙要求確定引線材料、型號和尺寸，引線安 置在鍵合工具的過程中應(yīng)保證引線表面的清潔； 4應(yīng)按裝配圖紙要求，并應(yīng)按正確的位置與方向要求將待鍵 合的引線準(zhǔn)確鍵合在相應(yīng)的焊盤上； 5進(jìn)行熱超聲金絲球形鍵合時，應(yīng)調(diào)整好EFO打火強(qiáng)度及絲 尾端與打火桿的間隙大小，成球的直徑宜為金絲直徑的2倍～3倍：

6采用金絲進(jìn)行鋁鍵合區(qū)IC芯片的引線鍵合時，鍵合加熱 溫度不宜高于150℃； 7應(yīng)控制超聲功率、超聲時間、鍵合壓力和鍵合溫度，并應(yīng)確 保不損傷芯片、有較大的鍵合強(qiáng)度和好的焊點(diǎn)形態(tài)； 8應(yīng)選擇劈刀規(guī)格，楔形劈刀的刀尖寬度、針形劈刀（焊針） 的軸孔直徑宜為引線直徑的1.3倍～1.6倍； 9焊點(diǎn)應(yīng)落在焊盤中心，牢固、無虛焊、無短路； 10引線鍵合后應(yīng)在顯微鏡下目檢引線和鍵合質(zhì)量，并應(yīng)進(jìn) 行鍵合拉力測試。 3.5.3引線鍵合的工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定： 1 引線鍵合工藝宜在等于或優(yōu)于7級凈化區(qū)中進(jìn)行； 2手動引線鍵合工藝可使用壓縮空氣； 3選用銅線進(jìn)行引線鍵合時，宜在氮?dú)饣虻獨(dú)浠旌蠚怏w的保 護(hù)氣氬中進(jìn)行

1引線鍵合工藝宜在等于或優(yōu)于7級凈化區(qū)中進(jìn)行； 2手動引線鍵合工藝可使用壓縮空氣； 3選用銅線進(jìn)行引線鍵合時，宜在氮?dú)饣虻獨(dú)浠旌蠚怏w的保 護(hù)氣氛中進(jìn)行

1原芯片電極焊區(qū)應(yīng)制作金屬過渡層，在金屬過渡層上可制 作金凸點(diǎn)、鋼凸點(diǎn)、鍍金鎳凸點(diǎn)、錫鉛凸點(diǎn)和無鉛凸點(diǎn)； 2金凸點(diǎn)、鍍金焊盤的組合，可采用超聲熱壓焊實現(xiàn)焊接

互連； 3雙組分粘接劑使用前應(yīng)按比例配制、攪拌均勻并靜置排 氣，單組分粘接劑宜貯存在一40℃的冷凍環(huán)境中，使用前應(yīng)在室溫 下充分解凍并攪拌均勻、靜置或真空排氣； 4由焊料構(gòu)成的凸點(diǎn)，可在焊盤或凸點(diǎn)上涂敷助焊劑，然后 將待安裝的芯片面朝下放置在基板上，按要求固化后通過“溫度 時間”曲線進(jìn)行焊料再流，完成芯片與基板的倒裝焊接； 5采用下填充和固化工藝時，下填充操作時應(yīng)傾斜基板，精 確控制填充膠量； 6倒裝焊后應(yīng)清洗除凈焊接產(chǎn)生的污染，再烘干或晾干產(chǎn)品； 7芯片倒裝及下填充完成后，應(yīng)目檢倒裝焊質(zhì)量，無損檢測 芯片凸點(diǎn)電極與其基板焊區(qū)間的對準(zhǔn)精度，并應(yīng)測試所倒裝芯片 的抗剪切強(qiáng)度。 3.6.3倒裝焊的工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定： 1倒裝焊工藝宜在等于或優(yōu)于7級凈化區(qū)中進(jìn)行；

倒裝焊工藝宜在等于或優(yōu)于7級凈化區(qū)中進(jìn)行； 2 倒裝焊工藝中芯片的安裝、互連應(yīng)同時完成； 31 倒裝焊應(yīng)在氮?dú)饣虻獨(dú)浠旌蠚怏w的保護(hù)氣氛中進(jìn)行

.7.1采用釬焊工藝應(yīng)符合下列

1電路內(nèi)部濕氣、氧氣含量均較低，且有氣密性要求的電連 接器與殼體組裝時應(yīng)采用釬焊工藝； 2有大面積接地要求的電路基板與載體或殼體的組裝，以及 接插件與封裝殼體不同組成部分之間的高精度拼裝時應(yīng)采用釬焊 工藝； 3在微電子產(chǎn)品的封裝過程中，對金屬或陶瓷腔體絕緣子、 接頭或者蓋板的焊接時應(yīng)采用釬焊工藝； 4針焊工藝用于小腔體的金屬及陶瓷封裝的封蓋時，芯片及 電路應(yīng)耐高溫；

5待針焊表面可針焊性宜采用厚膜、薄膜或鍍覆技術(shù)進(jìn)行金 屬化； 6釬焊工藝可采用二元或多元共晶焊料合金焊膏的形式，也 可采用預(yù)制焊片的形式，蓋板與殼體熱膨脹系數(shù)應(yīng)匹配。

3.7.2針焊的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定：

1應(yīng)根據(jù)工藝要求選擇成分穩(wěn)定、無氧化、表面平整的焊料， 根據(jù)焊接溫度選用焊料及使用量： 2焊接前應(yīng)通過真空烘焙，通氧氣或濕氫的方法，去除待焊 件及焊料片表面的油污及氧化層； 3放置焊料應(yīng)牢靠，并應(yīng)使焊料的填縫路程最短，根據(jù)工藝 規(guī)定可涂敷阻焊劑或阻流劑，對釬焊縫外圍涂層和透氣孔周圍微 電路線條實施阻焊； 4根據(jù)焊料種類與工藝要求選擇保護(hù)氣氛和溫度曲線，前道 工藝焊料的熔化溫度應(yīng)高于后道工藝的操作溫度，蓋板結(jié)構(gòu)設(shè)計 應(yīng)合理，封蓋焊接過程中應(yīng)使焊料的流動減至最低限度； 5在二元或三元合金焊料熔融溫度下進(jìn)行針焊密封時，針焊 峰值溫度應(yīng)高于焊料合金液相溫度20℃50℃； 6當(dāng)組裝過程包含多道釬焊工藝時，應(yīng)采用溫度梯度釬焊， 相鄰兩道針焊工藝焊料的液相溫度相差宜大于30℃； 7有焊透率要求的電路基板的組裝，需根據(jù)基板尺寸選擇焊 膏進(jìn)行釬焊，基板應(yīng)包含透氣孔； 8當(dāng)組件包含多個部件一體化針焊時，宜采用工裝夾具； 9釬焊完成后應(yīng)清洗焊接件，去除焊渣及助焊劑； 10使用顯微鏡目檢焊縫是否有裂紋、縫隙等缺陷，有缺陷應(yīng) 重新補(bǔ)焊； 11針焊密封后應(yīng)進(jìn)行粗檢漏和細(xì)檢漏。

3.7.3釬焊的工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定：

1對內(nèi)部濕氣、氧氣含量要求比較低且有密封性要求的電 路，應(yīng)采用平行縫焊工藝； 2待焊接材料為阻熱高的材料，密封過程中采用局部加熱 封裝體的升溫較低、對溫度較敏感的電子元器件的封裝時，應(yīng)采用 平行縫焊工藝； 3對可伐合金、10號鋼等電阻率較高、導(dǎo)熱性能差的金屬或 合金組件的氣密電阻熔焊時，應(yīng)采用平行縫焊工藝； 4對邊緣為矩形、圓形等規(guī)則形狀蓋板的外殼進(jìn)行焊接，宜 采用平行縫焊工藝。

1應(yīng)檢查被焊件是否滿足焊接結(jié)構(gòu)和尺寸要求，并應(yīng)清洗被 焊件表面； 2應(yīng)根據(jù)腔體與蓋板的大小和厚度，散熱情況的差異選擇或 編輯適宜的平行縫焊封蓋程序，合理選擇電極移動的速率、電流脈 沖的強(qiáng)度和持續(xù)時間、脈沖之間的時間間隔、電極對蓋板的壓力 電極移動的距離等平行縫焊工藝參數(shù)，蓋板焊接部位厚度宜為 0.1mm~0.15mm，新程序試封后宜進(jìn)行檢漏實驗，合格后方進(jìn)行 正式封裝； 3平行縫焊材料體系的組成要求應(yīng)根據(jù)材料的熱膨脹系數(shù) 決定； 4組件內(nèi)部水汽含量要求嚴(yán)格時，應(yīng)將焊接件及對應(yīng)的蓋 板、夾具放人烘箱中，充人氮?dú)獠⒊檎婵�，真空度達(dá)到規(guī)定要求時 開始加熱并應(yīng)保溫一段時間； 5應(yīng)確認(rèn)手套箱內(nèi)水汽含量達(dá)標(biāo)后，將烘烤后的產(chǎn)品移入 縫焊操作箱（手套箱）并關(guān)嚴(yán)箱門，宜在4h內(nèi)完成密封，當(dāng)產(chǎn)品

在操作箱內(nèi)滯留12h以上未密封時，應(yīng)重新烘烤后才能進(jìn)行 密封； 6應(yīng)將蓋板按規(guī)定方位壓置在外殼底座上且二者邊緣精確 對準(zhǔn)，再啟動縫焊程序；應(yīng)先進(jìn)行分步封蓋操作，確認(rèn)程序無誤后 方可進(jìn)行自動封蓋操作，平行縫焊機(jī)的運(yùn)行速度不宜過快； 7蓋板為矩形的外殼，宜先焊好長度方向上兩條對邊的平行 焊道，再使殼體轉(zhuǎn)90°后焊好寬度方向上另兩條對邊的平行焊道， 兩對焊道在起始點(diǎn)處應(yīng)相互重疊形成閉合的密封焊道，矩形蓋板 的長、寬尺寸應(yīng)對應(yīng)小于殼體（底座）長、寬0.05mm～0.1mm； 8蓋板為圓形的外殼，應(yīng)使兩個通有連續(xù)大電流脈沖的同軸 縫焊電極壓在蓋板頂面的圓周邊沿上，相對于殼體與蓋板完成不 小于180°的圓弧運(yùn)動后實現(xiàn)縫焊密封，圓形蓋板直徑應(yīng)小于殼體 直徑0.05mm~0.1mm； 9封裝的最長尺寸不超過25mm時，宜選用厚度0.1mm~ 0.15mm的薄板形蓋板；封裝的最長尺寸大于25mm時，宜選用中心 區(qū)域厚度0.25mm~0.4mm、四周邊緣區(qū)厚度0.1mm~0.15mm的 臺階形蓋板； 10應(yīng)將已熔焊密封的產(chǎn)品移入與縫焊操作箱相連的充有正 壓氮?dú)獾拿芊庀渲�，關(guān)嚴(yán)操作箱側(cè)門，再從密封箱移出； 11平行縫焊后用顯微鏡檢查焊縫應(yīng)連續(xù)平整，不應(yīng)有裂紋 等缺陷； 12應(yīng)進(jìn)行粗檢漏和細(xì)檢漏，并應(yīng)測試其漏率。 3.8.3平行縫焊的工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定： 1平行縫焊工藝宜在等于或優(yōu)于8級凈化區(qū)中進(jìn)行； 2平行縫焊應(yīng)在濕氣含量小于或等于40ppm的正壓氮?dú)饣?正壓氮氮混合氣體環(huán)境的手套箱內(nèi)完成； 3縫焊操作箱應(yīng)在氮?dú)饣虻�氮混合氣體吹掃8h以上方能投 入縫焊操作，且日常應(yīng)保持正壓環(huán)境；

1平行縫焊工藝宜在等于或優(yōu)于8級凈化區(qū)中進(jìn)行； 2平行縫焊應(yīng)在濕氣含量小于或等于40ppm的正壓氮?dú)饪?正壓氮氮混合氣體環(huán)境的手套箱內(nèi)完成； 3縫焊操作箱應(yīng)在氮?dú)饣虻�氮混合氣體吹掃8h以上方能攝 入縫焊操作，且日常應(yīng)保持正壓環(huán)境； 4封蓋時干燥箱內(nèi)氣體環(huán)境的壓力不應(yīng)高于常壓，

3.9.1采用激光焊工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：

1對有密封要求的電路，且焊接面為鋼、鎳、鋅、鋁等材料時： 應(yīng)采用激光焊工藝； 2內(nèi)部氣氛要求嚴(yán)格的金屬或金屬基復(fù)合材料組件的氣密 封裝時，應(yīng)采用激光焊工藝； 3激光焊可分為脈沖激光焊和連續(xù)激光焊； 4待焊接材料為金、銀時，不應(yīng)采用激光焊接。 3.9.2激光焊的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定： 1焊接前應(yīng)對焊件及焊接材料表面做除銹、脫脂處理，并應(yīng) 進(jìn)行酸洗、有機(jī)溶劑清洗或物理方法打磨去除表面雜質(zhì)； 2對焊件真空烘焙，應(yīng)排除焊件內(nèi)部的水汽； 3運(yùn)行焊接程序前，應(yīng)先用激光打點(diǎn)進(jìn)行焊件定位，焊接過 程中焊件應(yīng)夾緊，激光光斑應(yīng)落在待焊件中間位置，光斑在垂直于 焊接運(yùn)動方向?qū)�焊縫中心的偏離量應(yīng)小于光斑直徑； 4脈沖激光焊時，應(yīng)設(shè)置脈沖能量、脈沖寬度、功率密度、離 焦量等工藝參數(shù)； 5連續(xù)激光焊時，應(yīng)設(shè)置激光功率、焊接速度、光斑直徑、離 焦量、保護(hù)氣氛等工藝參數(shù)； 6有氣密要求的電路，其殼體與蓋板之間的配合應(yīng)控制在 0.1mm內(nèi); 7可添加金屬做輔助材料，焊接過程被焊金屬部位應(yīng)有充分 的熔深，焊接能量不宜過大； 8激光焊接后應(yīng)清除飛濺物落在焊件上形成的瘤狀物； 9 應(yīng)在顯微鏡下觀察焊縫，焊縫應(yīng)光滑連續(xù)，無氣孔、裂紋等 缺陷； 10激光焊接后應(yīng)進(jìn)行粗檢漏和細(xì)檢漏。

3激光焊工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合

激光焊工藝宜在等于或優(yōu)于8級凈化區(qū)中進(jìn)行； 激光焊應(yīng)在氮?dú)�、氬氣等氣氛中進(jìn)行。

5：10.1對有表面焊接性能安求及表面有非等電組分的到裝材科 在使用前可采用涂覆工藝，使其表面形成可焊性的金屬化涂覆層。 3.10.2涂覆的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定： 1進(jìn)行超聲清洗處理電路板表面的助焊劑、離子污染，不應(yīng) 損傷已經(jīng)裝配好的敏感元件： 2應(yīng)對所要涂覆材料進(jìn)行微蝕處理和活化處理； 3應(yīng)對所要涂覆材料沉積適當(dāng)?shù)慕饘倌�層�?4電路中不需要涂覆的地方，應(yīng)使用壓敏膠帶等進(jìn)行掩模保 護(hù)并烘干； 5應(yīng)選擇與電路浸潤性良好，能夠承受在涂覆工藝之后高溫 存儲、溫度循環(huán)等后續(xù)的其他工藝所帶來的高溫條件的涂覆漆；按 照合理的比例配方涂覆漆與二甲苯，配好后充分?jǐn)嚢璨㈧o置20min； 6應(yīng)按涂覆漆廠家提供的焙烤參數(shù)設(shè)置烘箱的焙烤溫度和 焙烤時間，使電路充分固化，涂層應(yīng)均勻致密、無針孔、水汽透過率 低、對基板附著力良好且收縮或張應(yīng)力較��； 7涂覆后應(yīng)進(jìn)行熱處理去除應(yīng)力； 8應(yīng)根據(jù)焊接溫度對涂覆層進(jìn)行相應(yīng)的溫度考核。 3.10.3涂覆工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定： 1 涂覆工藝宜在等于或優(yōu)于8級凈化區(qū)中進(jìn)行； 2涂覆工作室應(yīng)保持潔凈干燥，溫度應(yīng)在20℃～25℃，相對 濕度應(yīng)在40%~60%； 3涂覆宜采用涂覆機(jī)自動完成； 4 涂覆應(yīng)布置在單獨(dú)房間內(nèi)； 5涂覆間應(yīng)設(shè)置強(qiáng)制排風(fēng)措施； 6涂覆間送回風(fēng)系統(tǒng)應(yīng)單獨(dú)設(shè)置。

3.11.1采用真空烘焙工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：

1對分子污染高度敏感的器件焊接封裝時，應(yīng)采用真空烘焙 工藝； 2 在惰性氣體中進(jìn)行微波器件焊接封裝時，應(yīng)采用真空烘焙 工藝； 3在惰性氣體中進(jìn)行混合電路盒體焊接封裝時，應(yīng)采用真空 烘焙工藝； 4模塊進(jìn)行密封或者真空焊接前去除內(nèi)部的水汽或其他吸 附性氣體成分時.可采用直空烘焙工藝

3在情性氣體中進(jìn)行混合電路盒體焊接封裝時，應(yīng)采用真空 烘焙工藝； 4模塊進(jìn)行密封或者真空焊接前去除內(nèi)部的水汽或其他吸 附性氣體成分時，可采用真空烘焙工藝。 3.11.2真空烘焙主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定： 1真空焙烘系統(tǒng)在烘烤組件前應(yīng)進(jìn)行烘烤，確認(rèn)系統(tǒng)正常； 2抽真空至100Pa，根據(jù)需要設(shè)定一定的除氣溫度和時間 開始加熱除氣，加熱溫度不應(yīng)超過組件、器件的最高耐受溫度，但 應(yīng)高于組件工作溫度10℃以上； 3系統(tǒng)回溫，熱沉溫度應(yīng)低于組件和烘烤溫度； 4應(yīng)根據(jù)組件內(nèi)部水汽及氧氣含量要求，設(shè)置時間、溫度、烘 焙壓力等工藝參數(shù)； 5根據(jù)組件封蓋后內(nèi)部保護(hù)氣氛的要求，真空烘焙后應(yīng)進(jìn)行 相應(yīng)保護(hù)氣體的回充。

1真空烘焙工藝宜在等于或優(yōu)于8級凈化區(qū)中進(jìn)行； 2 真空烘焙工藝的回充氣體應(yīng)為氮?dú)饣蚱渌�惰性氣體

3.12.1采用清洗工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：

12.1 采用清洗工藝應(yīng)符合下列規(guī)定： 1 微組裝工藝宜采用氣相清洗、超聲清洗、等離子清洗方式； 2 對微組裝中基板、金屬腔體、組件、電路片上需要清除的顆

粒、油污、助焊劑、氧化物、多余物去除時，應(yīng)采用清洗工藝； 3電路上、焊料上等殘留氧化物、引線鍵合焊盤上氧化物、多 余的環(huán)氧粘接劑的清除宜采用等離子清洗； 4焊接后殘余的助焊劑、毛發(fā)、油污、油脂等污染物的清除 在超聲振動不影響待清洗件可靠性及使用性的情況下宜采用超聲 清洗；否則宜采用溶劑清洗或氣相清洗； 5含有晶體器件、陶瓷器件的組件的清洗，有裸芯片的、鍵合 金絲后的清洗不宜采用超聲清洗； 6微組裝清洗工藝的工作媒介宜為化學(xué)溶劑、等離子體氣 體、紫外臭氧氣氛、水。 3.12.2清洗主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定： 1清洗過程宜包括初洗、漂洗、烘干，按清洗介質(zhì)不同可采用 水洗、半水洗和溶劑洗，清洗應(yīng)在焊后及時進(jìn)行； 2應(yīng)根據(jù)助焊劑的成分選擇清洗劑； 3清洗電路片時，應(yīng)加熱清洗或在異丙醇中超聲清洗脫水， 然后烘干或用氮?dú)獯蹈桑?4金屬腔體、蓋板及絕緣子的清洗可采用超聲氣相清洗，在 加熱的清洗劑中超聲清洗，接著冷卻漂洗，然后蒸汽清洗，最后氮 氣吹干；表面污染嚴(yán)重或去除氧化物時，應(yīng)加入拋光劑； 5等離子清洗工藝應(yīng)根據(jù)應(yīng)用范圍合理選用等離子氣體，設(shè) 置等離子清洗的氣體的激發(fā)功率、清洗時間、真空度、溫度； 6清洗完成后，應(yīng)按要求晾干或烘干洗后元器件及在制品 并應(yīng)在10倍~30倍放大的體視顯微鏡下且檢產(chǎn)品質(zhì)量

3.12.3清洗工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定：

1 清洗工藝應(yīng)在7級凈化區(qū)中進(jìn)行； 2 清洗工藝中的水洗宜配置純水系統(tǒng)； 3 清洗工位應(yīng)建立強(qiáng)制排風(fēng)環(huán)境； 4清洗后的廢液處理應(yīng)符合現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)《電子工程環(huán)境保 護(hù)設(shè)計規(guī)范》GB50814的有關(guān)規(guī)定

5進(jìn)行清洗工藝時應(yīng)嚴(yán)格遵守化學(xué)品、危險品的安全使用操 作規(guī)范。

1貼裝工藝后的測試應(yīng)包括顯微鏡檢、萬用表測試接地電 阻，是否短路、無損檢查共晶界面的空洞以及芯片剪切強(qiáng)度測試； 2引線鍵合后的測試應(yīng)包括顯微鏡檢、破壞性以及非破壞性 引線鍵合強(qiáng)度的鍵合拉力測試： 3倒裝焊后可進(jìn)行高溫和熱循環(huán)實驗，然后采用電測試、邊界 掃描或功能測試的方法，檢查芯片的短路和開路；或者采用自動光學(xué) 險測、自動無損檢測、聲學(xué)檢測方法檢測芯片焊接界面的微觀特性： 4基板針釬焊后應(yīng)采用無損方法進(jìn)行空洞率測試； 5釬焊、平行縫焊、激光焊等工藝后應(yīng)進(jìn)行外觀檢查和腔體 氣密性測試，有特殊要求的產(chǎn)品還應(yīng)進(jìn)行無損檢查

阻，是否短路、無損檢查共晶界面的空洞以及芯片剪切強(qiáng)度測試； 2引線鍵合后的測試應(yīng)包括顯微鏡檢、破壞性以及非破壞性 引線鍵合強(qiáng)度的鍵合拉力測試； 3倒裝焊后可進(jìn)行高溫和熱循環(huán)實驗，然后采用電測試、邊界 掃描或功能測試的方法，檢查芯片的短路和開路；或者采用自動光學(xué) 檢測、自動無損檢測、聲學(xué)檢測方法檢測芯片焊接界面的微觀特性； 4基板針焊后應(yīng)采用無損方法進(jìn)行空洞率測試； 5釬焊、平行縫焊、激光焊等工藝后應(yīng)進(jìn)行外觀檢查和腔體 氣密性測試，有特殊要求的產(chǎn)品還應(yīng)進(jìn)行無損檢查。 3.13.2測試過程的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定： 1測試前應(yīng)按照圖紙及技術(shù)要求對待測件進(jìn)行狀態(tài)檢查，檢 查測試設(shè)備狀態(tài)，并應(yīng)按技術(shù)要求對測試設(shè)備相關(guān)參數(shù)進(jìn)行設(shè)置： 2應(yīng)記錄各項測試項目測試參數(shù)； 3測試之后應(yīng)對所測參數(shù)進(jìn)行核對； 4用顯微鏡進(jìn)行外觀檢查時，一般電路可使用30倍～60倍 顯微鏡，芯片檢查應(yīng)根據(jù)特征尺寸采用高倍顯微鏡； 5芯片剪切強(qiáng)度測試、鍵合拉力測試、高溫和熱循環(huán)試驗宜 采用抽樣測試； 6引線表面、引線下面或引線周圍有用于增加鍵合強(qiáng)度的任 可粘接劑、密封劑或其他材料時，應(yīng)在使用這些材料以前進(jìn)行試驗； 7有氣密性要求的產(chǎn)品中，腔體上焊接有絕緣子或接頭的 應(yīng)在絕緣子懼清洗后生進(jìn)行檢漏測試檢驗合格的產(chǎn)品方可進(jìn)

3.13.2測試過程的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定

1測試前應(yīng)按照圖紙及技術(shù)要求對待測件進(jìn)行狀態(tài)檢查，檢 查測試設(shè)備狀態(tài)，并應(yīng)按技術(shù)要求對測試設(shè)備相關(guān)參數(shù)進(jìn)行設(shè)置； 2應(yīng)記錄各項測試項目測試參數(shù)； 3測試之后應(yīng)對所測參數(shù)進(jìn)行核對； 4用顯微鏡進(jìn)行外觀檢查時，一般電路可使用30倍～60倍 顯微鏡，芯片檢查應(yīng)根據(jù)特征尺寸采用高倍顯微鏡； 5芯片剪切強(qiáng)度測試、鍵合拉力測試、高溫和熱循環(huán)試驗宜 采用抽樣測試； 6引線表面、引線下面或引線周圍有用于增加鍵合強(qiáng)度的任 何粘接劑、密封劑或其他材料時，應(yīng)在使用這些材料以前進(jìn)行試驗： 7有氣密性要求的產(chǎn)品中，腔體上焊接有絕緣子或接頭的 應(yīng)在絕緣子釬焊清洗后先進(jìn)行檢漏測試，檢驗合格的產(chǎn)品方可進(jìn) 行之后的組裝操作。

4.1.1微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)備應(yīng)包括環(huán)氧貼裝設(shè)備、共晶焊設(shè) 備、引線鍵合設(shè)備、密封設(shè)備、涂覆設(shè)備、清洗設(shè)備、測試設(shè)備。 4.1.2微組裝生產(chǎn)線加工設(shè)備與檢測儀器應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)線組線方 式、加工產(chǎn)品、生產(chǎn)規(guī)模、生產(chǎn)效率、運(yùn)行管理與成本控制目標(biāo)、節(jié) 能環(huán)保要求等因素配置。

4.1.1微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)備應(yīng)包括環(huán)氧貼裝設(shè)備

4.1.3微組裝設(shè)備選型應(yīng)符合下列規(guī)定：

1應(yīng)按照產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)型式、工藝途徑、所用材料、加工流程、 加工精度確定工藝設(shè)備種類，根據(jù)生產(chǎn)線的產(chǎn)能和產(chǎn)量需求，均衡 配置各工藝的設(shè)備數(shù)量； 2需保證高產(chǎn)能、高生產(chǎn)效率時，應(yīng)選用具有圖形自動識別、 產(chǎn)品數(shù)據(jù)文件接收、編程控制、學(xué)后認(rèn)知等能力的自動化設(shè)備； 3研制與小批量生產(chǎn)加工、依靠操作人員技能水平保障加工 質(zhì)量時，可選用性能價格比高、投資較少的手動型微組裝設(shè)備。

4.2.1環(huán)氧貼裝工藝可選用點(diǎn)膠機(jī)、蘸膠機(jī)、絲網(wǎng)印刷機(jī)和粘片 機(jī)，少量的元器件粘接可采用手動點(diǎn)膠，批量生產(chǎn)可采用絲網(wǎng)印刷 或半自動和全自動粘片，

4.2.2環(huán)氧貼裝工藝設(shè)備配置應(yīng)行

1點(diǎn)膠機(jī)應(yīng)配置承片臺、顯微鏡、照明裝置和滴針，壓力控制 點(diǎn)膠的設(shè)備應(yīng)配置壓縮空氣系統(tǒng)實現(xiàn)環(huán)氧樹脂膠的滴注，通過調(diào) 節(jié)點(diǎn)膠壓力、點(diǎn)膠時間、滴針口徑、環(huán)氧粘度與觸變性等參數(shù)，控制 所滴注的膠量；

2絲網(wǎng)印刷機(jī)應(yīng)配置承片臺、視覺系統(tǒng)、刮板、網(wǎng)版或模板， 通過改變網(wǎng)版目數(shù)、膜厚或模板厚度、刮板壓力、速度和硬度、環(huán)氧 粘度與觸變性等參數(shù)，控制所印涂的膠層厚度； 3粘片機(jī)應(yīng)配置承片臺、視覺與操作隨動系統(tǒng)、顯微鏡、照明 裝置和吸嘴，并應(yīng)配置真空系統(tǒng)實現(xiàn)粘片； 4自動粘片機(jī)應(yīng)具有通過程序控制實現(xiàn)圖形自動識別、自動 滴注、自動吸片、自動對準(zhǔn)、自動貼片的功能

4.4.1共晶焊工藝可選用共晶機(jī)、共晶爐，并宜符合下列規(guī)定：

4.4.1共晶焊工藝可選用共晶機(jī)、共晶爐，并宜符合下列規(guī)定： 1被貼裝芯片的面積不大于2mm×2mm時，應(yīng)選用手動或 自動共晶機(jī)進(jìn)行逐一共晶焊，同一基板上同一溫度下使用同種焊 料共晶焊的芯片不應(yīng)超過3個； 2多芯片貼裝或被貼裝芯片的面積大于6mm×6mm時，應(yīng) 選用真空共晶爐進(jìn)行共晶焊，并應(yīng)設(shè)計焊接工裝； 3被貼裝芯片的面積在2mm×2mm到6mm×6mm之間 時，應(yīng)根據(jù)具體情況選擇工藝設(shè)備；

4不使用焊料，直接將兩種金屬的界面加熱到不小于它們 共熔溫度進(jìn)行共晶焊時，應(yīng)選用具有摩擦功能的共晶機(jī)

4.4.2共晶焊工藝設(shè)備配置應(yīng)符合下列規(guī)定：

4.5引線鍵合工藝設(shè)備

4.5.1引線鍵合工藝可選用手動、半自動或全自動絲焊機(jī)，并宜 符合下列規(guī)定： 1楔形鍵合可選用楔形鍵合機(jī)，球形鍵合可選用球形鍵 合機(jī)； 2鋁絲鍵合可選用鋁硅絲楔焊機(jī)和粗鋁絲楔焊機(jī)，金絲鍵合 可選用金絲球焊機(jī)和金絲楔焊機(jī)

4.5.2引線鍵合工藝設(shè)備配置應(yīng)符合下列規(guī)定

1金絲球焊機(jī)應(yīng)配置承片臺、操作隨動系統(tǒng)、顯微鏡、照明裝 置和針形劈刀，利用“熱能十超聲能”、使用針形劈刀和高純微細(xì)金 絲實現(xiàn)第一、第二焊點(diǎn)分別為球形焊點(diǎn)、半月形楔形焊點(diǎn)的引線鍵 合，應(yīng)能設(shè)置和漸進(jìn)調(diào)節(jié)承片臺溫度、超聲能量和施加時間、劈刀 壓力、電子打火（EFO）強(qiáng)度等關(guān)鍵工藝參數(shù)； 2鋁硅絲楔焊機(jī)和粗鋁絲楔焊機(jī)應(yīng)配置有承片臺、操作隨動 系統(tǒng)、顯微鏡、照明裝置和楔形劈刀，利用超聲能并輔助利用熱能

使用楔形劈力和微細(xì)鋁硅絲（粗鋁絲）實現(xiàn)第一、第二焊點(diǎn)均為高 爾夫勺形形焊點(diǎn)的引線鍵合，也可實現(xiàn)微細(xì)金絲的楔形鍵合，應(yīng) 設(shè)置和漸進(jìn)調(diào)節(jié)超聲能量和施加時間、承片臺溫度、劈刀壓力、夾 絲夾力等關(guān)鍵工藝參數(shù)。

4.6.1焊料凸點(diǎn)倒裝焊工藝可選用倒裝貼片機(jī)和再流焊

f.6.1 焊科凹點(diǎn)倒裝焊工 藝可選用倒裝貼片機(jī)和再流焊爐 及下填充機(jī)，并宜符合下列規(guī)定 1超聲熱壓倒裝焊工藝可選用倒裝焊機(jī)和下填充機(jī)； 2聚合物互連粘接倒裝工藝可選用點(diǎn)膠機(jī)、倒裝貼片機(jī) 裝焊機(jī)和下填充機(jī)

2聚合物互連粘接倒裝工藝 裝焊機(jī)和下填充機(jī)。 4.6.2倒裝焊工藝設(shè)備的配置應(yīng)符合下列規(guī)定： 1倒裝貼片機(jī)應(yīng)配置承片臺、倒裝圖形對準(zhǔn)識別系統(tǒng)、操作 隨動系統(tǒng)、照明裝置和吸嘴，利用真空實現(xiàn)凸點(diǎn)芯片的倒裝貼片， 可通過吸嘴吸片、通過倒裝圖形對準(zhǔn)識別系統(tǒng)與操作隨動系統(tǒng)對 準(zhǔn)粘片，并可通過改變真空度、更換吸嘴規(guī)格等方法適應(yīng)不同規(guī)格 凸點(diǎn)IC芯片的貼片； 2下填充機(jī)是一種用于下填充工藝的點(diǎn)膠機(jī)，可通過液態(tài)材 料在縫隙中的毛細(xì)流效應(yīng)充填滿倒裝凸點(diǎn)芯片與基板間的空隙； 3倒裝焊機(jī)應(yīng)配置承片臺、倒裝圖形對準(zhǔn)識別系統(tǒng)、操作隨 動系統(tǒng)、照明裝置、吸嘴以及供應(yīng)保護(hù)氣氛的裝置，應(yīng)能設(shè)置和漸 進(jìn)調(diào)節(jié)承片臺溫度、超聲能量和施加時間、局部熱風(fēng)溫度及加熱時 間、焊接壓力等關(guān)鍵工藝參數(shù)，利用“熱能十超聲能”實現(xiàn)凸點(diǎn)芯片 的倒裝焊接，可通過吸嘴吸片、通過倒裝圖形對準(zhǔn)識別系統(tǒng)與操作 隨動系統(tǒng)對準(zhǔn)并通過改變真空度、更換吸嘴規(guī)格等方法適應(yīng)不同 規(guī)格凸點(diǎn)IC芯片的貼片。

4.6.2倒裝焊工藝設(shè)備的配置應(yīng)符合下列規(guī)定：

4.7.14 針焊工藝可選用熱臺、鏈?zhǔn)解F焊爐，并宜符合下列規(guī)定

1表面積小或要求不高的腔體可在熱臺上焊接，表面積大、 散熱快或有特殊要求腔體可在烘箱或鏈?zhǔn)解F焊爐中進(jìn)行； 2不需要使用助焊劑的焊料的針焊，可采用回流焊進(jìn)行釬焊 密封； 3采用焊膏進(jìn)行針焊時，應(yīng)選用紅外熱風(fēng)回流爐或氣相焊 爐，帶速或傳遞速度設(shè)置應(yīng)使得組件不同部位受熱均勻； 4采用預(yù)制焊片進(jìn)行焊接時，應(yīng)選用鏈?zhǔn)结樅笭t，并應(yīng)采用 惰性氣氛或惰性加還原性氣氛。

4.7.2鏈?zhǔn)解F焊爐通過產(chǎn)品在爐膛內(nèi)隨網(wǎng)帶的運(yùn)行，經(jīng)歷“加熱

4.8平行縫焊工藝設(shè)備

4.8.1平行縫焊工藝主要應(yīng)選擇平行縫焊機(jī)。

溫度、真空度及烘烤時間等關(guān)鍵工藝參數(shù)完成封裝

4.9.1激光焊工藝主要應(yīng)選擇激光焊接機(jī)，激光點(diǎn)焊時應(yīng)選

.9.1激光焊工藝主要應(yīng)選擇激光焊接機(jī)，激光點(diǎn)焊時應(yīng)選用脈 中激光焊接機(jī)，激光縫焊時可選用脈沖激光焊接機(jī)或連續(xù)激光焊 接機(jī)，可根據(jù)組件封裝的具體要求選用

.9.2激光焊工藝設(shè)備的配置應(yīng)符合下列規(guī)定

1激光焊機(jī)應(yīng)配置有激光焊機(jī)電源、承片臺、定位夾具、激光 器及激光焊氣氛供應(yīng)與監(jiān)測系統(tǒng)，并配備有相應(yīng)的操作箱（手套箱） 和真空烘焙設(shè)備，真空焙烘設(shè)備應(yīng)與激光焊接設(shè)備手套箱連接； 2連續(xù)激光焊所使用的焊接設(shè)備宜為二氧化碳（CO2）激 光器； 3脈沖激光焊所使用的焊接設(shè)備宜為釔鋁石榴石晶體 (Nd:YAG)激光器; 4當(dāng)對組件內(nèi)部氣氛有要求時，激光焊接設(shè)備應(yīng)配備具有氣 體凈化和監(jiān)測功能的焊接手套箱及組件中轉(zhuǎn)箱

4.10.1 涂覆應(yīng)采用涂覆機(jī)自動完成。 4.10.2 涂覆工藝設(shè)備的配置應(yīng)符合下列規(guī)定： 1 前處理設(shè)備應(yīng)包含超聲清洗設(shè)備、帶通風(fēng)櫥的化學(xué)處理 設(shè)備； 2 應(yīng)根據(jù)所要涂覆材料的屬性和膜層沉積的方式，選擇相應(yīng) 的設(shè)備，如化學(xué)鍍設(shè)備、真空鍍膜設(shè)備、電鍍設(shè)備等； 3應(yīng)具有涂覆膜層厚度的檢測設(shè)備。

4.11真空烘焙工藝設(shè)備

4.11.1真空烘焙工藝可選用真空烘箱。

.1真空烘焙工藝可選用真空

1真空烘焙工藝可選用真空烘箱。 2 真空烘焙設(shè)備應(yīng)配置抽排風(fēng)裝置和機(jī)械泵，設(shè)備應(yīng)與組

4.11.2真空烘焙設(shè)備應(yīng)配置抽排風(fēng)裝置和機(jī)械泵，設(shè)

件封裝設(shè)備連接，真空烘焙溫度和時間可進(jìn)行實時監(jiān)測，真空度應(yīng) 低于10Pa。

4.12.1清洗工藝可選用超聲波清洗設(shè)備、氣相清洗設(shè)備、等離子 洗設(shè)備，并宜符合下列規(guī)定： 1清洗工藝宜采用溶劑法清洗； 2污染不嚴(yán)重而潔凈度要求較高的，可采用間歇式氣相 清洗； 3大批量表面貼裝組件（SMA）清洗，可采用連續(xù)式氣相清 洗工藝； 4污染較嚴(yán)重的表面貼裝組件（SMA）清洗，可采用沸騰超 聲清洗； 5大批量在線清洗系統(tǒng)且對環(huán)境要求較高時，可采用水基清 洗（皂化法或凈水法）或半水基清洗； 6超聲清洗設(shè)備不宜用于電子元器件的清洗。 4.12.2清洗設(shè)備組合與配置應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品需求選擇

4.13.1測試設(shè)備的最大測試量程、測試精度等指標(biāo)，應(yīng)滿足被測 件測試要求，可根據(jù)不同測試參數(shù)選擇專用測試設(shè)備或通用測證 設(shè)備進(jìn)行測試。

4.13.2密封性能測試設(shè)備配置應(yīng)符合下列規(guī)定

4.13.3引線鍵合拉力測試設(shè)備的配置應(yīng)符合下列

4.13.4共晶焊接和環(huán)氧貼裝剪切力測試設(shè)備的配置應(yīng)符合

±5%或剪切力達(dá)0.5N；

2應(yīng)配置用來施加測試所需力的帶有杠桿臂的圓形測力計 或線性運(yùn)動加力儀。 4.13.5芯片和其他元件共晶焊接的空洞率測試可選用X射線 設(shè)備。 4.13.6完成貼裝后元器件的端頭通斷測試可選用數(shù)字多用表 其配置應(yīng)符合下列規(guī)定： 1應(yīng)有蜂鳴檔，當(dāng)測試電阻小于0.5Q2時，應(yīng)出現(xiàn)短路報警 鳴叫； 2 應(yīng)有低、中、高阻電阻值擋，并應(yīng)適于測試10m2～100M

設(shè)備。 4.13.6完成貼裝后元器件的端頭通斷測試可選用數(shù)字多用表： 其配置應(yīng)符合下列規(guī)定： 1應(yīng)有蜂鳴檔，當(dāng)測試電阻小于0.5α?xí)r，應(yīng)出現(xiàn)短路報警

4.13.6完成貼裝后元器件的端頭通斷測試可選用數(shù)字多用

1應(yīng)有蜂鳴檔，當(dāng)測試電阻小于0.52時，應(yīng)出現(xiàn)短路報警 鳴叫； 2應(yīng)有低、中、高阻電阻值擋，并應(yīng)適于測試10m2～100MΩ 的阻值； 3宜配置四線測試功能及自檢校準(zhǔn)功能； 4宜配置表筆。 4.13.7制品、元件、構(gòu)件等外觀質(zhì)量的放大檢查可選用體視顯微 鏡，其配置應(yīng)符合下列規(guī)定： 1放大倍數(shù)宜配置7倍～20倍、10倍～30倍、30倍～60 倍、60倍～100倍、100倍200倍等幾種； 2應(yīng)配置光強(qiáng)可調(diào)節(jié)的頂視照明系統(tǒng)； 3應(yīng)具有雙目鏡孔距調(diào)節(jié)、焦距粗調(diào)與微調(diào)、單目焦距復(fù)調(diào) 等功能。

5.1.1微組裝生產(chǎn)線規(guī)劃應(yīng)力求工藝流程合理，人流、物流通暢；

5.1.1微組裝生產(chǎn)線規(guī)劃應(yīng)力求工藝流程合理，人流、物流通暢；并 應(yīng)按工藝生產(chǎn)、動力輔助、倉儲、辦公與管理等功能區(qū)進(jìn)行總平面布置， 5.1.2廠房潔凈區(qū)位置應(yīng)環(huán)境清潔，遠(yuǎn)離強(qiáng)振源，動力供應(yīng)便捷 5.1.3微組裝生產(chǎn)線廠房人流、物流出入口應(yīng)分開設(shè)置。 5.1.4潔凈區(qū)宜設(shè)置人員凈化用室和物料凈化設(shè)施 5.1.5微組裝生產(chǎn)線布置在多層廠房內(nèi)時，應(yīng)設(shè)置垂直運(yùn)輸電梯

5.2.1微組裝生產(chǎn)線工藝區(qū)劃應(yīng)按照生產(chǎn)工藝流程為主線展開 核心生產(chǎn)區(qū)應(yīng)包括貼裝區(qū)、芯片組裝區(qū)、封裝區(qū)、調(diào)試區(qū)、物料儲有 區(qū)、檢測區(qū)，生產(chǎn)支持區(qū)應(yīng)包括更衣區(qū)、物料凈化區(qū)、清洗區(qū)。微組 裝生產(chǎn)線應(yīng)采用圖5.2.1所示工藝流程

人防標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范范本圖5.2.1微組裝生產(chǎn)線工藝流程圖

.2.2微組裝生產(chǎn)線廠房工藝區(qū)劃應(yīng)包括下列內(nèi)容： 1產(chǎn)品的工藝流程；

2廣房建筑、結(jié)構(gòu)形式； 3主要動力供給方向； 4 產(chǎn)品產(chǎn)量、生產(chǎn)線種類和設(shè)備選型數(shù)量； 5 清洗間、涂覆間等特別工作間的安排； 6 微組裝生產(chǎn)線廠房設(shè)置參觀走廊。 5.2.3 潔凈區(qū)內(nèi)人員凈化用室、生活用室及吹淋室的設(shè)置，應(yīng)符 合下列規(guī)定： 1人員凈化用室應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝要求和空氣潔凈度等 級設(shè)置； 2人員凈化用室宜包括雨具存放、換鞋、存外衣、洗間、更 換潔凈工作服、空氣吹淋室等； 3 潔凈工作服洗滌間、干燥間等用室，可根據(jù)需要設(shè)置。 5.2.4 人員凈化用室和生活用室的區(qū)劃，應(yīng)符合下列規(guī)定： 1人員凈化用室人口處，應(yīng)設(shè)置凈鞋設(shè)施； 2存外衣和更換潔凈工作服的設(shè)施應(yīng)分別設(shè)置； 3外衣存衣柜應(yīng)按最大當(dāng)班人數(shù)每人一柜設(shè)置； 4 盛洗間宜設(shè)置在潔凈區(qū)外。 5.2.5潔凈區(qū)內(nèi)的設(shè)備和物料出入口應(yīng)獨(dú)立設(shè)置，并應(yīng)根據(jù)設(shè)備 和物料的特征、性質(zhì)、形狀等設(shè)置凈化用室及相應(yīng)物料凈化設(shè)施。 物料凈化用室與潔凈室之間應(yīng)設(shè)置氣閘室或傳遞窗。

1人員凈化用室人口處，應(yīng)設(shè)置凈鞋設(shè)施； 27 存外衣和更換潔凈工作服的設(shè)施應(yīng)分別設(shè)置； 3 外衣存衣柜應(yīng)按最大當(dāng)班人數(shù)每人一柜設(shè)置； 4 盛洗間宜設(shè)置在潔凈區(qū)外

和物料的特征、性質(zhì)、形狀等設(shè)置凈化用室及相應(yīng)物料凈化設(shè)施。 物料凈化用室與潔凈室之間應(yīng)設(shè)置氣閘室或傳遞窗。

5.3.1設(shè)備布置應(yīng)預(yù)留人流、物流通道和設(shè)備安裝入口、設(shè)備更 新和檢修場地墊圈標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)備之間應(yīng)有安全操作距離。 5.3.2易造成污染的物料應(yīng)設(shè)置專用出人口。 5.3.3微組裝生產(chǎn)線廠房內(nèi)，靠近生產(chǎn)區(qū)宜設(shè)置與生產(chǎn)規(guī)模相適 應(yīng)的原輔物料、半成品和成品、工裝夾具存放設(shè)施。 5.3.4清洗、涂覆、焊接和返修工序應(yīng)設(shè)置單獨(dú)的排風(fēng)系統(tǒng)