GB／T 51198-2016  微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)計(jì)規(guī)范(完整正版、清晰無水印)

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以聚焦的激光束作為能源轟擊焊件所產(chǎn)生的熱量進(jìn)行焊接的 工藝。

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在電路板特定區(qū)域運(yùn)用機(jī)械的、化學(xué)的、電化學(xué)的、物理的方 法施加塑性的或非塑性的非導(dǎo)電薄層涂料滅火系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范范本，起環(huán)境保護(hù)和（或）機(jī) 械保護(hù)作用

3.1.1微組裝主要生產(chǎn)工藝應(yīng)包括芯片和基板貼裝、互連、密封

3.1.1微組裝主要生產(chǎn)工藝應(yīng)包括芯片和基板貼裝、互連、密封 工藝：輔助工藝包括真空烘焙、清洗、涂覆、測(cè)試工藝。 3.1.2微組裝生產(chǎn)線加工工藝應(yīng)根據(jù)混合集成電路、多芯片組件 等微組裝產(chǎn)品的性能指標(biāo)與質(zhì)量要求確定。 3.1.3微組裝工藝流程設(shè)計(jì)應(yīng)符合下列規(guī)定：

3.1.3微組裝工藝流程設(shè)計(jì)應(yīng)符合下列規(guī)定：

1微組裝工藝應(yīng)按溫度從高逐步到低進(jìn)行操作，谷 妝 共晶焊、再流焊（表面組裝）、倒裝焊、粘片、引線鍵合、密封的次序 降序排列。 2半導(dǎo)體器件的貼裝，應(yīng)采取防靜電措施。 3微組裝工藝應(yīng)符合電子元器件常規(guī)組裝順序規(guī)定： 1）先粘片后引線鍵合； 2）先進(jìn)行內(nèi)引線鍵合后進(jìn)行外引線鍵合； 3）完成器件裝連后應(yīng)進(jìn)行產(chǎn)品電性能測(cè)試。 4共晶焊、再流焊、表面組裝、芯片倒裝焊后，當(dāng)有助焊劑殘 留時(shí)應(yīng)進(jìn)行清洗，芯片倒裝焊后應(yīng)進(jìn)行下填充。 5每一種微組裝工藝完成后，應(yīng)完成相應(yīng)的工序檢驗(yàn)

3.2.1采用環(huán)氧貼裝工藝應(yīng)符合下列規(guī)定

3.2.1采用環(huán)氧貼裝工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：

3.2.1采用環(huán)氧貼裝工藝應(yīng)符合下列規(guī)定： 1貼裝發(fā)熱量不高、對(duì)濕氣含量無嚴(yán)格要求的中小功率器 牛、無引線倒裝器件、片式元器件以及將基板貼裝到封裝外殼中 時(shí)，宜采用環(huán)氧貼裝工藝 2有歐姆接觸要求的器件應(yīng)采用摻銀或金的導(dǎo)電環(huán)氧膠進(jìn)

3無歐姆接觸要求的器件宜采用絕緣環(huán)氧膠貼裝； 4有散熱要求的器件應(yīng)采用導(dǎo)熱環(huán)氧膠貼裝。

1應(yīng)按規(guī)定方法配制多組分漿料型環(huán)氧膠，環(huán)氧膠使用前應(yīng) 充分?jǐn)嚢杈鶆虿㈧o置或真空除泡；環(huán)氧膠在冷凍環(huán)境下貯存時(shí)，使 用前應(yīng)在室溫下放置，充分解凍： 2環(huán)氧貼裝前待貼裝件應(yīng)保持潔凈； 3可采用滴注點(diǎn)涂、絲網(wǎng)印刷、模板印刷等方法將環(huán)氧膠涂 布在基板上元器件待安裝位置，手工或采用貼裝設(shè)備將環(huán)氧膜片 排布在外殼底座上； 4將待安裝的元器件準(zhǔn)確放置在基板的環(huán)氧膠上，或?qū)⒒��?或電路功能襯底壓著在外殼底座上已排布好的環(huán)氧膜上，應(yīng)按粘 接劑的使用要求完成粘接固化； 5宜采用加熱、熱壓、紫外光照射等方法將粘接劑固化； 6 固化后應(yīng)清除多余的環(huán)氧膠； 7 應(yīng)用顯微鏡檢查芯片、器件的外觀和環(huán)氧貼裝質(zhì)量； 應(yīng)對(duì)完成貼裝后的元器件進(jìn)行端頭通斷測(cè)試。 3.2.3 環(huán)氧貼裝的工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定： 貼裝元器件工藝宜在等于或優(yōu)于8級(jí)凈化區(qū)中完成： 2 固化過程應(yīng)有排風(fēng)系統(tǒng)； 3稱量、混合、配膠、清洗工序應(yīng)在通風(fēng)柜內(nèi)進(jìn)行。

3.3.1再流焊工藝宜適用于元器件在基板上的表面組裝或?qū)⒒?板焊接在外殼底座中

3.3.2再流焊工藝的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定：

應(yīng)采用軟合金焊料膏，使用前應(yīng)充分?jǐn)嚢杈鶆虿㈧o置排泡 宜采用模板印刷、滴注點(diǎn)涂方法將適量的焊料膏涂布在基

3.4.1共晶焊工藝應(yīng)適用于要求散熱好的大功率電路

3.4.1共晶焊工藝應(yīng)適用于要求散熱好的天功率電路芯片或基 片、要求接觸電阻小的高頻電路芯片，以及要求濕氣含量非常低的 混合電路的貼裝或封帽。

3.4.2共晶焊的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定：

共晶焊的主要工序應(yīng)符合下列判

1共晶焊前，應(yīng)對(duì)基板和載體進(jìn)行清洗并烘十； 2應(yīng)選擇共晶焊料和焊接母體表面粗糙度； 3應(yīng)將裁剪好的合金預(yù)制焊片置于基板（外殼）底座上，將待 安裝的各元器件（基板）準(zhǔn)確放置在對(duì)應(yīng)的焊片上，通過溫度、時(shí) 間、氣氛要求完成共晶； 4采用含金的合金焊料時(shí)，芯片背面應(yīng)淀積金層；采用以錫 鋼為主要成分的低共熔溫度軟合金焊料時(shí)，芯片背面應(yīng)淀積鎳、銀 層或鎳金層； 5當(dāng)共晶焊料中含有助焊劑時(shí)，焊接后的器件應(yīng)清洗去除焊 料、焊劑的殘?jiān)��?6焊接完成后，應(yīng)無損檢測(cè)芯片、基板外觀和焊接的空洞率

3.4.3共晶焊的工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定： 1 共晶焊工藝宜在等于或優(yōu)于8級(jí)凈化區(qū)中完成； 2共晶焊應(yīng)在氮?dú)饣虻獨(dú)浠旌蠚怏w的保護(hù)氣氛中進(jìn)行； 3當(dāng)共晶焊與環(huán)氧貼裝用于同一電路時(shí)，應(yīng)先完成操作溫度 高的共晶焊再進(jìn)行環(huán)氧貼裝； 4手動(dòng)共晶焊工藝可使用壓縮空氣； 5多個(gè)工序采用共晶焊工藝時(shí)，前道工序選用焊料的共晶溫 度應(yīng)高于后道工序。

3.5.1采用引線鍵合工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：

3.5.用絨合工 乙應(yīng)付口下列規(guī)定： 1引線鍵合工藝適用于將電路內(nèi)部的芯片、基板、外殼引腳 上的金屬化鍵合區(qū)一一對(duì)應(yīng)互連形成電氣連接； 2按所施加能量方式的不同，引線鍵合工藝可分為熱壓鍵 合、超聲波鍵合、熱壓超聲波鍵合； 3按引線鍵合形式的不同，引線鍵合工藝可分為球形鍵合和 楔形鍵合； 4按鍵合材料的不同，引線鍵合工藝可分為金絲鍵合、鋁絲 鍵合、鋁硅絲鍵合、銅絲鍵合。 3.5.2引線鍵合的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定： 1引線鍵合前宜先校驗(yàn)引線鍵合規(guī)范，確認(rèn)工藝參數(shù)的穩(wěn)定 性，并檢查基板材料可鍵合性； 2鍵合前應(yīng)保證鍵合區(qū)域清潔； 3應(yīng)根據(jù)裝配圖紙要求確定引線材料、型號(hào)和尺寸，引線安 置在鍵合工具的過程中應(yīng)保證引線表面的清潔； 4應(yīng)按裝配圖紙要求，并應(yīng)按正確的位置與方向要求將待鍵 合的引線準(zhǔn)確鍵合在相應(yīng)的焊盤上； 5進(jìn)行熱超聲金絲球形鍵合時(shí)，應(yīng)調(diào)整好EFO打火強(qiáng)度及絲

1引線鍵合工藝適用于將電路內(nèi)部的芯片、基板、外殼引腳 上的金屬化鍵合區(qū)一一對(duì)應(yīng)互連形成電氣連接； 2按所施加能量方式的不同，引線鍵合工藝可分為熱壓鍵 合、超聲波鍵合、熱壓超聲波鍵合； 3按引線鍵合形式的不同，引線鍵合工藝可分為球形鍵合和 楔形鍵合； 4按鍵合材料的不同，引線鍵合工藝可分為金絲鍵合、鋁絲 鍵合、鋁硅絲鍵合、銅絲鍵合。

1引線鍵合前宜先校驗(yàn)引線鍵合規(guī)范，確認(rèn)工藝參數(shù)的穩(wěn)定 性，并檢查基板材料可鍵合性； 2鍵合前應(yīng)保證鍵合區(qū)域清潔； 3應(yīng)根據(jù)裝配圖紙要求確定引線材料、型號(hào)和尺寸，引線安 置在鍵合工具的過程中應(yīng)保證引線表面的清潔； 4應(yīng)按裝配圖紙要求，并應(yīng)按正確的位置與方向要求將待鍵 合的引線準(zhǔn)確鍵合在相應(yīng)的焊盤上； 5進(jìn)行熱超聲金絲球形鍵合時(shí)，應(yīng)調(diào)整好EFO打火強(qiáng)度及絲 尾端與打火桿的間隙大小，成球的直徑宜為金絲直徑的2倍～3倍

6采用金絲進(jìn)行鋁鍵合區(qū)IC芯片的引線鍵合時(shí)，鍵合加熱 溫度不宜高于150℃； 7應(yīng)控制超聲功率、超聲時(shí)間、鍵合壓力和鍵合溫度，并應(yīng)確 保不損傷芯片、有較大的鍵合強(qiáng)度和好的焊點(diǎn)形態(tài)； 8應(yīng)選擇劈刀規(guī)格，楔形劈刀的刀尖寬度、針形劈刀（焊針） 的軸孔直徑宜為引線直徑的1.3倍～1.6倍； 9焊點(diǎn)應(yīng)落在焊盤中心，牢固、無虛焊、無短路； 10引線鍵合后應(yīng)在顯微鏡下目檢弓引線和鍵合質(zhì)量，并應(yīng)進(jìn) 合玉

3.5.3引線鍵合的工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定：

引線鍵合工藝宜在等于或優(yōu)于7級(jí)凈化區(qū)中進(jìn)行： 手動(dòng)引線鍵合工藝可使用壓縮空氣； 3選用銅線進(jìn)行引線鍵合時(shí)，宜在氮?dú)饣虻獨(dú)浠旌蠚怏w的保 護(hù)氣氛中進(jìn)行。

1原芯片電極焊區(qū)應(yīng)制作金屬過渡層，在金屬過渡層上可制 作金凸點(diǎn)、鋼凸點(diǎn)、鍍金鎳凸點(diǎn)、錫鉛凸點(diǎn)和無鉛凸點(diǎn)； 2金凸點(diǎn)、鍍金焊盤的組合，可采用超聲熱壓焊實(shí)現(xiàn)焊接

互連； 3雙組分粘接劑使用前應(yīng)按比例配制、攪拌均勻并靜置排 氣，單組分粘接劑宜貯存在一40℃的冷凍環(huán)境中，使用前應(yīng)在室溫 下充分解凍并攪拌均勻、靜置或真空排氣； 4由焊料構(gòu)成的凸點(diǎn)，可在焊盤或凸點(diǎn)上涂敷助焊劑，然后 將待安裝的芯片面朝下放置在基板上，按要求固化后通過“溫度 時(shí)間”曲線進(jìn)行焊料再流，完成芯片與基板的倒裝焊接； 5采用下填充和固化工藝時(shí)，下填充操作時(shí)應(yīng)傾斜基板，精 確控制填充膠量； 6倒裝焊后應(yīng)清洗除凈焊接產(chǎn)生的污染，再烘干或晾干產(chǎn)品 7芯片倒裝及下填充完成后，應(yīng)目檢倒裝焊質(zhì)量，無損檢測(cè) 芯片凸點(diǎn)電極與其基板焊區(qū)間的對(duì)準(zhǔn)精度，并應(yīng)測(cè)試所倒裝芯片 的抗剪切強(qiáng)度。 3.6.3倒裝焊的工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定： 1倒裝焊工藝宜在等于或優(yōu)于7級(jí)凈化區(qū)中進(jìn)行；

倒裝焊工藝宜在等于或優(yōu)于7級(jí)凈化區(qū)中進(jìn)行； 2 倒裝焊工藝中芯片的安裝、互連應(yīng)同時(shí)完成； 3倒裝焊應(yīng)在氮?dú)饣虻獨(dú)浠旌蠚怏w的保護(hù)氣氛中進(jìn)行

.7.1采用釬焊工藝應(yīng)符合下列

1電路內(nèi)部濕氣、氧氣含量均較低，且有氣密性要求的電連 接器與殼體組裝時(shí)應(yīng)采用針焊工藝： 2有大面積接地要求的電路基板與載體或殼體的組裝，以及 接插件與封裝殼體不同組成部分之間的高精度拼裝時(shí)應(yīng)采用針焊 工藝； 3在微電子產(chǎn)品的封裝過程中，對(duì)金屬或陶瓷腔體絕緣子、 接頭或者蓋板的焊接時(shí)應(yīng)采用針焊工藝； 4針焊工藝用于小腔體的金屬及陶瓷封裝的封蓋時(shí)，芯片及 電路應(yīng)耐高溫：

5待針焊表面可針焊性宜采用厚膜、薄膜或鍍覆技術(shù)進(jìn)行金 屬化； 6針焊工藝可采用二元或多元共晶焊料合金焊膏的形式，也 可采用預(yù)制焊片的形式，蓋板與殼體熱膨脹系數(shù)應(yīng)匹配。

3.7.2釬焊的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定：

3.7.2針焊的王安工廳應(yīng)付合下列規(guī)定： 1應(yīng)根據(jù)工藝要求選擇成分穩(wěn)定、無氧化、表面平整的焊料， 浪據(jù)焊接溫度選用焊料及使用量； 2焊接前應(yīng)通過真空烘焙，通氧氣或濕氫的方法，去除待焊 牛及焊料片表面的油污及氧化層； 3放置焊料應(yīng)牢靠，并應(yīng)使焊料的填縫路程最短，根據(jù)工藝 規(guī)定可涂敷阻焊劑或阻流劑，對(duì)針焊縫外圍涂層和透氣孔周圍微 電路線條實(shí)施阻焊； 4根據(jù)焊料種類與工藝要求選擇保護(hù)氣氛和溫度曲線，前道 工藝焊料的熔化溫度應(yīng)高于后道工藝的操作溫度，蓋板結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 應(yīng)合理，封蓋焊接過程中應(yīng)使焊料的流動(dòng)減至最低限度； 5在二元或三元合金焊料熔融溫度下進(jìn)行針焊密封時(shí)，針焊 降值溫度應(yīng)高于焊料合金液相溫度20℃～50℃； 6當(dāng)組裝過程包含多道針焊工藝時(shí)，應(yīng)采用溫度梯度針焊， 相鄰兩道針焊工藝焊料的液相溫度相差宜大于30℃； 7有焊透率要求的電路基板的組裝，需根據(jù)基板尺寸選擇焊 膏進(jìn)行針焊，基板應(yīng)包含透氣孔； 8當(dāng)組件包含多個(gè)部件一體化針焊時(shí)，宜采用工裝夾具； 9釬焊完成后應(yīng)清洗焊接件，去除焊渣及助焊劑； 10使用顯微鏡目檢焊縫是否有裂紋、縫隙等缺陷，有缺陷應(yīng) 重新補(bǔ)焊；

3.7.3釬焊的工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定：

3針焊工藝可采用紅外鏈?zhǔn)綘t實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。

3.8.1采用平行縫焊工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：

捍工藝可采用紅外鏈?zhǔn)綘t實(shí)現(xiàn)大

1對(duì)內(nèi)部濕氣、氧氣含量要求比較低且有密封性要求的電 路，應(yīng)采用平行縫焊工藝： 2待焊接材料為阻熱高的材料，密封過程中采用局部加熱 封裝體的升溫較低、對(duì)溫度較敏感的電子元器件的封裝時(shí)，應(yīng)采用 平行縫焊工藝； 3對(duì)可伐合金、10號(hào)鋼等電阻率較高、導(dǎo)熱性能差的金屬或 合金組件的氣密電阻熔焊時(shí)，應(yīng)采用平行縫焊工藝； 4對(duì)邊緣為矩形、圓形等規(guī)則形狀蓋板的外殼進(jìn)行焊接，宜 采用平行縫焊工藝。

1應(yīng)檢查被焊件是否滿足焊接結(jié)構(gòu)和尺寸要求，并應(yīng)清洗被 焊件表面； 2應(yīng)根據(jù)腔體與蓋板的大小和厚度，散熱情況的差異選擇或 編輯適宜的平行縫焊封蓋程序，合理選擇電極移動(dòng)的速率、電流脈 沖的強(qiáng)度和持續(xù)時(shí)間、脈沖之間的時(shí)間間隔、電極對(duì)蓋板的壓力 電極移動(dòng)的距離等平行縫焊工藝參數(shù)，蓋板焊接部位厚度宜為 0.1mm～0.15mm，新程序試封后宜進(jìn)行檢漏實(shí)驗(yàn)，合格后方進(jìn)行 正式封裝； 3平行縫焊材料體系的組成要求應(yīng)根據(jù)材料的熱膨脹系數(shù) 決定； 4組件內(nèi)部水汽含量要求嚴(yán)格時(shí)，應(yīng)將焊接件及對(duì)應(yīng)的蓋 板、夾其放人烘箱中，充人氮?dú)獠⒊檎婵�，真空度達(dá)到規(guī)定要求時(shí) 開始加熱并應(yīng)保溫一段時(shí)間： 5應(yīng)確認(rèn)手套箱內(nèi)水汽含量達(dá)標(biāo)后，將烘烤后的產(chǎn)品移人 縫焊操作箱（手套箱）并關(guān)嚴(yán)箱門，宜在4h內(nèi)完成密封，當(dāng)產(chǎn)品

在操作箱內(nèi)滯留12h以上未密封時(shí)，應(yīng)重新烘烤后才能進(jìn)行 密封； 6應(yīng)將蓋板按規(guī)定方位壓置在外殼底座上且二者邊緣精確 對(duì)準(zhǔn)，再啟動(dòng)縫焊程序；應(yīng)先進(jìn)行分步封蓋操作，確認(rèn)程序無誤后 方可進(jìn)行自動(dòng)封蓋操作，平行縫焊機(jī)的運(yùn)行速度不宜過快； 7蓋板為矩形的外殼，宜先焊好長(zhǎng)度方向上兩條對(duì)邊的平行 焊道，再使殼體轉(zhuǎn)90°后焊好寬度方向上另兩條對(duì)邊的平行焊道， 兩對(duì)焊道在起始點(diǎn)處應(yīng)相互重疊形成閉合的密封焊道，矩形蓋板 的長(zhǎng)、寬尺寸應(yīng)對(duì)應(yīng)小于殼體（底座）長(zhǎng)、寬0.05mm~0.1mm； 8蓋板為圓形的外殼，應(yīng)使兩個(gè)通有連續(xù)大電流脈沖的同軸 縫焊電極壓在蓋板頂面的圓周邊上，相對(duì)于殼體與蓋板完成不 小于180°的圓弧運(yùn)動(dòng)后實(shí)現(xiàn)縫焊密封，圓形蓋板直徑應(yīng)小于殼體 直徑0.05mm~0.1mm； 9封裝的最長(zhǎng)尺寸不超過25mm時(shí)，宜選用厚度0.1mm~ 0.15mm的薄板形蓋板；封裝的最長(zhǎng)尺寸大于25mm時(shí)，宜選用中心 區(qū)域厚度0.25mm~0.4mm、四周邊緣區(qū)厚度0.1mm~0.15mm的 臺(tái)階形蓋板； 10應(yīng)將已熔焊密封的產(chǎn)品移人與縫焊操作箱相連的充有正 壓氮?dú)獾拿芊庀渲�，關(guān)嚴(yán)操作箱側(cè)門，再從密封箱移出； 11平行縫焊后用顯微鏡檢查焊縫應(yīng)連續(xù)平整，不應(yīng)有裂紋 等缺陷； 12應(yīng)進(jìn)行粗檢漏和細(xì)檢漏，并應(yīng)測(cè)試其漏率。

1平行縫焊工藝宜在等于或優(yōu)于8級(jí)凈化區(qū)中進(jìn)行； 2平行縫焊應(yīng)在濕氣含量小于或等于40ppm的正壓氮?dú)饣?正壓氮氮混合氣體環(huán)境的手套箱內(nèi)完成； 3縫焊操作箱應(yīng)在氮?dú)饣虻�氮混合氣體吹掃8h以上方能投 人縫焊操作，且日常應(yīng)保持正壓環(huán)境； 4封蓋時(shí)干燥箱內(nèi)氣體環(huán)境的壓力不應(yīng)高于常壓，

1采用激光焊工藝應(yīng)符合下列

3.9.2激光焊的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定： 1焊接前應(yīng)對(duì)焊件及焊接材料表面做除銹、脫脂處理，并應(yīng) 進(jìn)行酸洗、有機(jī)溶劑清洗或物理方法打磨去除表面雜質(zhì)； 2對(duì)焊件真空烘焙，應(yīng)排除焊件內(nèi)部的水汽； 3運(yùn)行焊接程序前，應(yīng)先用激光打點(diǎn)進(jìn)行焊件定位，焊接過 程中焊件應(yīng)夾緊，激光光斑應(yīng)落在待焊件中間位置，光斑在垂直于 焊接運(yùn)動(dòng)方向?qū)�焊縫中心的偏離量應(yīng)小于光斑直徑； 4脈沖激光焊時(shí)，應(yīng)設(shè)置脈沖能量、脈沖寬度、功率密度、離 焦量等工藝參數(shù)： 5連續(xù)激光焊時(shí)，應(yīng)設(shè)置激光功率、焊接速度、光斑直徑、離 焦量、保護(hù)氣氛等工藝參數(shù)； 6有氣密要求的電路，其殼體與蓋板之間的配合應(yīng)控制在 0.1mm內(nèi); 7可添加金屬做輔助材料，焊接過程被焊金屬部位應(yīng)有充分 的熔深，焊接能量不宜過大； 8激光焊接后應(yīng)清除飛濺物落在焊件上形成的瘤狀物； 9應(yīng)在顯微鏡下觀察焊縫，焊縫應(yīng)光滑連續(xù)，無氣孔、裂紋等 缺陷； 10激光焊接后應(yīng)進(jìn)行粗檢漏和細(xì)檢漏。

激光焊工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下

激光焊工藝宜在等于或優(yōu)于8級(jí)凈化區(qū)中進(jìn)行； 激光焊應(yīng)在氮?dú)�、氬氣等氣氛中進(jìn)行。

在使用前可采用涂覆工藝，使其表面形成可焊性的金屬化涂覆層

3.10.2涂覆的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定： 1進(jìn)行超聲清洗處理電路板表面的助焊劑、離子污染，不應(yīng) 損傷已經(jīng)裝配好的敏感元件； 2應(yīng)對(duì)所要涂覆材料進(jìn)行微蝕處理和活化處理； 3應(yīng)對(duì)所要涂覆材料沉積適當(dāng)?shù)慕饘倌�層�?4電路中不需要涂覆的地方，應(yīng)使用壓敏膠帶等進(jìn)行掩模保 護(hù)并烘干； 5應(yīng)選擇與電路浸潤(rùn)性良好，能夠承受在涂覆工藝之后高溫 存儲(chǔ)、溫度循環(huán)等后續(xù)的其他工藝所帶來的高溫條件的涂覆漆；按 照合理的比例配方涂覆漆與二甲苯，配好后充分?jǐn)嚢璨㈧o置20min； 6應(yīng)按涂覆漆廠家提供的焙烤參數(shù)設(shè)置烘箱的焙烤溫度和 焙烤時(shí)間，使電路充分固化，涂層應(yīng)均勻致密、無針孔、水汽透過率 低、對(duì)基板附著力良好且收縮或張應(yīng)力較小； 7 涂覆后應(yīng)進(jìn)行熱處理去除應(yīng)力； 8 應(yīng)根據(jù)焊接溫度對(duì)涂覆層進(jìn)行相應(yīng)的溫度考核。 3.10.3涂覆工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定： 1 涂覆工藝宜在等于或優(yōu)于8級(jí)凈化區(qū)中進(jìn)行； 涂覆工作室應(yīng)保持潔凈干燥，溫度應(yīng)在20℃～25℃，相對(duì) 濕度應(yīng)在40%~60%； 3 涂覆宜采用涂覆機(jī)自動(dòng)完成； 4 涂覆應(yīng)布置在單獨(dú)房間內(nèi)； 5 涂覆間應(yīng)設(shè)置強(qiáng)制排風(fēng)措施； 6 涂覆間送問風(fēng)系統(tǒng)應(yīng)單獨(dú)設(shè)置。

1對(duì)分子污染高度敏感的器件焊接封裝時(shí)，應(yīng)采用真空烘焙 工藝； 2在情性氣體中進(jìn)行微波器件焊接封裝時(shí)，應(yīng)采用真空烘焙 工藝； 3在情性氣體中進(jìn)行混合電路盒體焊接封裝時(shí)，應(yīng)采用真空 烘焙工藝； 4模塊進(jìn)行密封或者真空焊接前去除內(nèi)部的水汽或其他吸 附性氣體成分時(shí)，可采用真空烘焙工藝

3.11.2真空烘焙主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定：

1真空焙烘系統(tǒng)在烘烤組件前應(yīng)進(jìn)行烘烤，確認(rèn)系統(tǒng)止常； 2抽真空至100Pa，根據(jù)需要設(shè)定一定的除氣溫度和時(shí)間 開始加熱除氣，加熱溫度不應(yīng)超過組件、器件的最高耐受溫度，但 應(yīng)高于組件工作溫度10℃以上； 3系統(tǒng)回溫，熱沉溫度應(yīng)低于組件和烘烤溫度； 4應(yīng)根據(jù)組件內(nèi)部水汽及氧氣含量要求，設(shè)置時(shí)間、溫度、烘 焙壓力等工藝參數(shù)； 5根據(jù)組件封蓋后內(nèi)部保護(hù)氣氛的要求，真空烘焙后應(yīng)進(jìn)行 相應(yīng)保護(hù)氣體的回充。 3.11.3真空烘焙工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定： 1真空烘焙工藝宜在等于或優(yōu)于8級(jí)凈化區(qū)中進(jìn)行；

.1采用清洗工藝應(yīng)符合下列規(guī)定： 1 微組裝工藝宜采用氣相清洗、超聲清洗、等離子清洗方式； 2對(duì)微組裝中基板、金屬腔體、組件、電路片上需要清除的顆

，12.1采用清洗工藝應(yīng)符合下列

粒、油污、助焊劑、氧化物、多余物去除時(shí)，應(yīng)采用清洗工藝； 3電路上、焊料上等殘留氧化物、引線鍵合焊盤上氧化物、多 余的環(huán)氧粘接劑的清除宜采用等離子清洗； 4焊接后殘余的助焊劑、毛發(fā)、油污、油脂等污染物的清除， 在超聲振動(dòng)不影響待清洗件可靠性及使用性的情況下宜采用超聲 清洗；否則宜采用溶劑清洗或氣相清洗； 5含有晶體器件、陶瓷器件的組件的清洗，有裸芯片的、鍵合 金絲后的清洗不宜采用超聲清洗； 6微組裝清洗工藝的工作媒介宜為化學(xué)溶劑、等離子體氣 體、紫外臭氧氣氛、水。

3.12.2清洗主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定：

1清洗過程宜包括初洗、漂洗、烘干，按清洗介質(zhì)不同可采用 水洗、半水洗和溶劑洗，清洗應(yīng)在焊后及時(shí)進(jìn)行； 2應(yīng)根據(jù)助焊劑的成分選擇清洗劑； 3清洗電路片時(shí)，應(yīng)加熱清洗或在異內(nèi)醇中超聲清洗脫水： 然后烘十或用氮?dú)獯凳��?4金屬腔體、蓋板及絕緣子的清洗可采用超聲氣相清洗，在 加熱的清洗劑中超聲清洗，接看冷卻漂洗，然后蒸汽清洗，最后氮 氣吹干；表面污染嚴(yán)重或去除氧化物時(shí)，應(yīng)加人拋光劑； 5等離子清洗工藝應(yīng)根據(jù)應(yīng)用范圍合理選用等離子氣體，設(shè) 置等離子清洗的氣體的激發(fā)功率、清洗時(shí)間、真空度、溫度； 6清洗完成后，應(yīng)按要求晾干或烘干洗后元器件及在制品， 并應(yīng)在10倍30倍放大的體視顯微鏡下目檢產(chǎn)品質(zhì)量。

3.12.3清洗工藝運(yùn)行條件應(yīng)符合下列規(guī)定

1 清洗工藝應(yīng)在7級(jí)凈化區(qū)中進(jìn)行； 2 清洗工藝中的水洗宜配置純水系統(tǒng)； 3 清洗工位應(yīng)建立強(qiáng)制排風(fēng)環(huán)境； 4清洗后的廢液處理應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電子工程環(huán)境保 護(hù)設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50814的有關(guān)規(guī)定。

5進(jìn)行清洗工藝時(shí)應(yīng)嚴(yán)格遵守化學(xué)品、危險(xiǎn)品的安全使用操 作規(guī)范。

1貼裝工藝后的測(cè)試應(yīng)包括顯微鏡檢、萬用表測(cè)試接地電 阻，是否短路、無損檢查共晶界面的空洞以及芯片剪切強(qiáng)度測(cè)試； 2引線鍵合后的測(cè)試應(yīng)包括顯微鏡檢、破壞性以及非破壞性 引線鍵合強(qiáng)度的鍵合拉力測(cè)試： 3倒裝焊后可進(jìn)行高溫和熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)，然后采用電測(cè)試、邊界 掃描或功能測(cè)試的方法，檢查芯片的短路和開路；或者采用自動(dòng)光學(xué) 檢測(cè)、自動(dòng)無損檢測(cè)、聲學(xué)檢測(cè)方法檢測(cè)芯片焊接界面的微觀特性： 4基板針焊后應(yīng)采用無損方法進(jìn)行空洞率測(cè)試； 5針焊、平行縫焊、激光焊等工藝后應(yīng)進(jìn)行外觀檢查和腔體 氣密性測(cè)試，有特殊要求的產(chǎn)品還應(yīng)進(jìn)行無損檢查

3.13.2測(cè)試過程的主要工序應(yīng)符合下列規(guī)定：

1測(cè)試前應(yīng)按照?qǐng)D紙及技術(shù)要求對(duì)待測(cè)件進(jìn)行狀態(tài)檢查，檢 查測(cè)試設(shè)備狀態(tài)，并應(yīng)按技術(shù)要求對(duì)測(cè)試設(shè)備相關(guān)參數(shù)進(jìn)行設(shè)置； 2應(yīng)記錄各項(xiàng)測(cè)試項(xiàng)目測(cè)試參數(shù)； 3測(cè)試之后應(yīng)對(duì)所測(cè)參數(shù)進(jìn)行核對(duì)； 4用顯微鏡進(jìn)行外觀檢查時(shí)，一般電路可使用30倍～60倍 顯微鏡，芯片檢查應(yīng)根據(jù)特征尺寸采用高倍顯微鏡； 5芯片剪切強(qiáng)度測(cè)試、鍵合拉力測(cè)試、高溫和熱循環(huán)試驗(yàn)宜 采用抽樣測(cè)試； 6引線表面、引線下面或引線周圍有用于增加鍵合強(qiáng)度的任 何粘接劑、密封劑或其他材料時(shí)，應(yīng)在使用這些材料以前進(jìn)行試驗(yàn)； 7有氣密性要求的產(chǎn)品中，腔體上焊接有絕緣子或接頭的 應(yīng)在絕緣子針焊清洗后先進(jìn)行檢漏測(cè)試，檢驗(yàn)合格的產(chǎn)品方可進(jìn) 行之后的組裝操作

4.1.1微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)備應(yīng)包括環(huán)氧貼裝設(shè)備、共晶焊設(shè) 備、引線鍵合設(shè)備、密封設(shè)備、涂覆設(shè)備、清洗設(shè)備、測(cè)試設(shè)備 4.1.2微組裝生產(chǎn)線加工設(shè)備與檢測(cè)儀器應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)線組線方 式、加工產(chǎn)品、生產(chǎn)規(guī)模、生產(chǎn)效率、運(yùn)行管理與成本控制目標(biāo)、節(jié) 能環(huán)保要求等因素配置

1應(yīng)按照產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)型式、工藝途徑、所用材料、加工流程、 加工精度確定工藝設(shè)備種類，根據(jù)生產(chǎn)線的產(chǎn)能和產(chǎn)量需求，均衡 配置各工藝的設(shè)備數(shù)量； 2需保證高產(chǎn)能、高生產(chǎn)效率時(shí)，應(yīng)選用具有圖形自動(dòng)識(shí)別 產(chǎn)品數(shù)據(jù)文件接收、編程控制、學(xué)后認(rèn)知等能力的自動(dòng)化設(shè)備； 3研制與小批量生產(chǎn)加工、依靠操作人員技能水平保障加工 質(zhì)量時(shí)，可選用性能價(jià)格比高、投資較少的手動(dòng)型微組裝設(shè)備

4.2.1環(huán)氧貼裝工藝可選用點(diǎn)膠機(jī)、熊膠機(jī)、絲網(wǎng)印刷機(jī)和粘片 機(jī)，少量的元器件粘接可采用手動(dòng)點(diǎn)膠，批量生產(chǎn)可采用絲網(wǎng)印刷 或半自動(dòng)和全自動(dòng)粘片

4.2.2環(huán)氧貼裝工藝設(shè)備配置應(yīng)符合下列規(guī)定：

1點(diǎn)膠機(jī)應(yīng)配置承片臺(tái)、顯微鏡、照明裝置和滴針，壓力控制 點(diǎn)膠的設(shè)備應(yīng)配置壓縮空氣系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)環(huán)氧樹脂膠的滴注，通過調(diào) 節(jié)點(diǎn)膠壓力、點(diǎn)膠時(shí)間、滴針口徑、環(huán)氧粘度與觸變性等參數(shù)，控制 所滴注的膠量；

2絲網(wǎng)印刷機(jī)應(yīng)配置承片臺(tái)、視覺系統(tǒng)、刮板、網(wǎng)版或模板： 通過改變網(wǎng)版目數(shù)、膜厚或模板厚度、刮板壓力、速度和硬度、環(huán)氧 粘度與觸變性等參數(shù)，控制所印涂的膠層厚度； 3粘片機(jī)應(yīng)配置承片臺(tái)、視覺與操作隨動(dòng)系統(tǒng)、顯微鏡、照明 裝置和吸嘴，并應(yīng)配置真空系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)粘片； 4自動(dòng)粘片機(jī)應(yīng)具有通過程序控制實(shí)現(xiàn)圖形自動(dòng)識(shí)別、自動(dòng) 滴注、自動(dòng)吸片、自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)、自動(dòng)貼片的功能

4.3.1再流焊工藝可選用再流焊爐和熱板。

4.4.1共晶焊工藝可選用共晶機(jī)共晶爐，并宜符合下列規(guī)定：

4.4.1共晶焊工藝可選用共晶機(jī)、共晶爐，并宜符合下列規(guī)定： 1被貼裝芯片的面積不大于2mm×2mm時(shí)，應(yīng)選用手動(dòng)或 自動(dòng)共晶機(jī)進(jìn)行逐一共晶焊，同一基板上同一溫度下使用同種焊 料共晶焊的芯片不應(yīng)超過3個(gè)； 2多芯片貼裝或被貼裝芯片的面積大于6mm×6mm時(shí)，應(yīng) 選用真空共晶爐進(jìn)行共晶焊，并應(yīng)設(shè)計(jì)焊接工裝； 3被貼裝芯片的面積在2mm×2mm到6mm×6mm之間 時(shí)，應(yīng)根據(jù)具體情況選擇工藝設(shè)備；

4不使用焊料，直接將兩種金屬的界面加熱到不小于它們的 共熔溫度進(jìn)行共晶焊時(shí)，應(yīng)選用具有摩擦功能的共晶機(jī)。

4.5引線鍵合工藝設(shè)備

4.5.1引線鍵合工藝可選用手動(dòng)、半自動(dòng)或全自動(dòng)絲焊機(jī)，并宜 符合下列規(guī)定： 1楔形鍵合可選用楔形鍵合機(jī)，球形鍵合可選用球形鍵 合機(jī)； 2鋁絲鍵合可選用鋁硅絲楔焊機(jī)和粗鋁絲楔焊機(jī)，金絲鍵合 可選用金絲球焊機(jī)和金絲楔焊機(jī)。

4.5.2引線鍵合工藝設(shè)備配置應(yīng)符合下列規(guī)定：

1金絲球焊機(jī)應(yīng)配置承片臺(tái)、操作隨動(dòng)系統(tǒng)、顯微鏡、照明裝 置和針形劈力，利用“熱能十超聲能”、使用針形劈力和高純微細(xì)金 絲實(shí)現(xiàn)第一、第二焊點(diǎn)分別為球形焊點(diǎn)、半月形楔形焊點(diǎn)的引線鍵 合，應(yīng)能設(shè)置和漸進(jìn)調(diào)節(jié)承片臺(tái)溫度、超聲能量和施加時(shí)間、劈刀 壓力、電子打火（EFO）強(qiáng)度等關(guān)鍵工藝參數(shù)； 2鋁硅絲楔焊機(jī)和粗鋁絲楔焊機(jī)應(yīng)配置有承片臺(tái)、操作隨動(dòng) 系統(tǒng)、顯微鏡、照明裝置和楔形劈，利用超聲能并輔助利用熱能

使用楔形劈力和微細(xì)鋁硅絲（粗鋁絲）實(shí)現(xiàn)第一、第二焊點(diǎn)均為高 爾夫勺形楔形焊點(diǎn)的引線鍵合，也可實(shí)現(xiàn)微細(xì)金絲的楔形鍵合，應(yīng) 設(shè)置和漸進(jìn)調(diào)節(jié)超聲能量和施加時(shí)間、承片臺(tái)溫度、劈刀壓力、夾 絲夾力等關(guān)鍵工藝參數(shù)，

4.6.1焊料凸點(diǎn)倒裝焊工藝可選用倒裝貼片機(jī)和再流焊爐、熱盤 及下填充機(jī)，并宜符合下列規(guī)定： 1超聲熱壓倒裝焊工藝可選用倒裝焊機(jī)和下填充機(jī)； 2聚合物互連粘接倒裝工藝可選用點(diǎn)膠機(jī)、倒裝貼片機(jī)、倒 裝焊機(jī)和下填充機(jī)。

1倒裝貼片機(jī)應(yīng)配置承片臺(tái)、倒裝圖形對(duì)準(zhǔn)識(shí)別系統(tǒng)、操作 隨動(dòng)系統(tǒng)、照明裝置和吸嘴，利用真空實(shí)現(xiàn)凸點(diǎn)芯片的倒裝貼片， 可通過吸嘴吸片、通過倒裝圖形對(duì)準(zhǔn)識(shí)別系統(tǒng)與操作隨動(dòng)系統(tǒng)對(duì) 準(zhǔn)粘片，并可通過改變真空度、更換吸嘴規(guī)格等方法適應(yīng)不同規(guī)格 凸點(diǎn)IC芯片的貼片； 2下填充機(jī)是一種用于下填充工藝的點(diǎn)膠機(jī)，可通過液態(tài)材 料在縫隙中的毛細(xì)流效應(yīng)充填滿倒裝凸點(diǎn)芯片與基板間的空隙； 3倒裝焊機(jī)應(yīng)配置承片臺(tái)、倒裝圖形對(duì)準(zhǔn)識(shí)別系統(tǒng)、操作隨 動(dòng)系統(tǒng)、照明裝置、吸嘴以及供應(yīng)保護(hù)氣氛的裝置，應(yīng)能設(shè)置和漸 進(jìn)調(diào)節(jié)承片臺(tái)溫度、超聲能量和施加時(shí)間、局部熱風(fēng)溫度及加熱時(shí) 間、焊接壓力等關(guān)鍵工藝參數(shù)，利用“熱能十超聲能”實(shí)現(xiàn)凸點(diǎn)芯片 的倒裝焊接，可通過吸嘴吸片、通過倒裝圖形對(duì)準(zhǔn)識(shí)別系統(tǒng)與操作 隨動(dòng)系統(tǒng)對(duì)準(zhǔn)并通過改變真空度、更換吸嘴規(guī)格等方法適應(yīng)不同 規(guī)格凸點(diǎn)IC芯片的貼片

4.8平行縫焊工藝設(shè)備

4.8.1平行縫焊工藝主要應(yīng)選擇平行縫焊機(jī)。

溫度、真空度及烘烤時(shí)間等關(guān)鍵工藝參數(shù)完成封裝。

4.9.1激光焊工藝主要應(yīng)選擇激光焊接機(jī)，激光點(diǎn)焊時(shí)應(yīng)選用脈 中激光焊接機(jī)，激光縫焊時(shí)可選用脈沖激光焊接機(jī)或連續(xù)激光焊 接機(jī)，可根據(jù)組件封裝的具體要求選用

4.9.2激光焊工藝設(shè)備的配置應(yīng)符合下列規(guī)定

激光焊機(jī)應(yīng)配直有激光焊機(jī)電源、承片合、定位夾具、 器及激光焊氣氛供應(yīng)與監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，并配備有相應(yīng)的操作箱（手套箱） 和真空烘焙設(shè)備，真空焙烘設(shè)備應(yīng)與激光焊接設(shè)備手套箱連接； 2連續(xù)激光焊所使用的焊接設(shè)備宜為二氧化碳（CO2）激 光器； 3脈沖激光焊所使用的焊接設(shè)備宜為鋁石榴石晶體 (Nd：YAG）激光器； 4當(dāng)對(duì)組件內(nèi)部氣氛有要求時(shí)，激光焊接設(shè)備應(yīng)配備具有氣 體凈化和監(jiān)測(cè)功能的焊接手套箱及組件中轉(zhuǎn)箱

4.10 涂覆工藝設(shè)備

4.10.1涂覆應(yīng)采用涂覆機(jī)自動(dòng)完成

T.1U. 你夜應(yīng)用徐復(fù)機(jī)日勿元成。 4.10.2涂覆工藝設(shè)備的配置應(yīng)符合下列規(guī)定： 1 前處理設(shè)備應(yīng)包含超聲清洗設(shè)備、帶通風(fēng)櫥的化學(xué)處理 設(shè)備； 2 應(yīng)根據(jù)所要涂覆材料的屬性和膜層沉積的方式，選擇相應(yīng) 的設(shè)備，如化學(xué)鍍?cè)O(shè)備、真空鍍膜設(shè)備、電鍍?cè)O(shè)備等； 3應(yīng)具有涂覆膜層厚度的檢測(cè)設(shè)備

4.11.1真空烘焙工藝可選用真空烘箱

4.11.1真空烘焙工藝可選用真空烘箱。

4.11.1真空烘焙工藝可選用真空烘箱。 4.11.2真空烘焙設(shè)備應(yīng)配置抽排風(fēng)裝置和機(jī)械泵，設(shè)備應(yīng)與組

件封裝設(shè)備連接，真空烘焙溫度和時(shí)間可進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，真空度應(yīng) 低于10Pa。

4.12.1清洗工藝可選用超聲波清洗設(shè)備、氣相清洗設(shè)備、等離子 情洗設(shè)備，并宜符合下列規(guī)定： 1清洗工藝宜采用溶劑法清洗； 2污染不嚴(yán)重而潔凈度要求較高的，可采用間歇式氣相 清洗； 3大批量表面貼裝組件（SMA）清洗，可采用連續(xù)式氣相清 洗工藝； 4污染較嚴(yán)重的表面貼裝組件（SMA）清洗，可采用沸騰超 聲清洗； 5大批量在線清洗系統(tǒng)且對(duì)環(huán)境要求較高時(shí)，可采用水基清 洗（皂化法或凈水法）或半水基清洗； 6超聲清洗設(shè)備不宜用于電子元器件的清洗。

4.12.2清洗設(shè)備組合與配置應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品需求選擇

4.13.1測(cè)試設(shè)備的最大測(cè)試量程、測(cè)試精度等指標(biāo)，應(yīng)滿足被測(cè) 件測(cè)試要求，可根據(jù)不同測(cè)試參數(shù)選擇專用測(cè)試設(shè)備或通用測(cè)證 設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

4.13.2密封性能測(cè)試設(shè)備配置應(yīng)符合下列規(guī)定：

4.13.4共晶焊接和環(huán)氧貼裝剪切力測(cè)試設(shè)備的配置應(yīng)符合

5.1.1微組裝生產(chǎn)線規(guī)劃應(yīng)力求工藝流程合理，人流、物流通暢；并 應(yīng)按工藝生產(chǎn)、動(dòng)力輔助、倉儲(chǔ)、辦公與管理等功能區(qū)進(jìn)行總平面布置。 5.1.2廠房潔凈區(qū)位置應(yīng)環(huán)境清潔，遠(yuǎn)離強(qiáng)振源，動(dòng)力供應(yīng)便捷 5.1.3行 微組裝生產(chǎn)線廠房人流、物流出入口應(yīng)分開設(shè)置。 5.1.4 潔凈區(qū)宜設(shè)置人員凈化用室和物料凈化設(shè)施。 5.1.5行 微組裝生產(chǎn)線布置在多層廠房?jī)?nèi)時(shí)，應(yīng)設(shè)置垂直運(yùn)輸電梯。

5.1.1微組裝生產(chǎn)線規(guī)劃應(yīng)力求工藝流程合理，人流、物流通

5.2.1微組裝生產(chǎn)線工藝區(qū)劃應(yīng)按照生產(chǎn)工藝流程為主線展開 核心生產(chǎn)區(qū)應(yīng)包括貼裝區(qū)、芯片組裝區(qū)、封裝區(qū)、調(diào)試區(qū)、物料儲(chǔ)有 區(qū)、檢測(cè)區(qū)，生產(chǎn)支持區(qū)應(yīng)包括更衣區(qū)、物料凈化區(qū)、清洗區(qū)。微 裝生產(chǎn)線應(yīng)采用圖5.2.1所示工藝流程。

5.2.2微組裝生產(chǎn)線廠房工藝區(qū)劃應(yīng)包括下列內(nèi)容：

圖5.2.1微組裝生產(chǎn)線工藝流程圖

輸電線路標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范范本5.2.2微組裝生產(chǎn)線廠房工藝區(qū)劃應(yīng)包括下列內(nèi)容：

2廠房建筑、結(jié)構(gòu)形式； 3主要?jiǎng)恿�供給方向； 4產(chǎn)品產(chǎn)量、生產(chǎn)線種類和設(shè)備選型數(shù)量； 5 清洗間、涂覆間等特別工作間的安排； 6 微組裝生產(chǎn)線廠房設(shè)置參觀走廊 5.2.3 潔凈區(qū)內(nèi)人員凈化用室、生活用室及吹淋室的設(shè)置，應(yīng)符 合下列規(guī)定： 1人員凈化用室應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝要求和空氣潔凈度等 級(jí)設(shè)置； 2人員凈化用室宜包括雨具存放、換鞋、存外衣、盟洗間、更 換潔凈工作服、空氣吹淋室等； 3 潔凈工作服洗滌間、干燥間等用室，可根據(jù)需要設(shè)置。 5.2.4 人員凈化用室和生活用室的區(qū)劃，應(yīng)符合下列規(guī)定： 人員凈化用室入口處，應(yīng)設(shè)置凈鞋設(shè)施； 2 存外衣和更換潔凈工作服的設(shè)施應(yīng)分別設(shè)置； 3 外衣存衣柜應(yīng)按最大當(dāng)班人數(shù)每人一柜設(shè)置； 4 盟洗間宜設(shè)置在潔凈區(qū)外。 5.2.5潔凈區(qū)內(nèi)的設(shè)備和物料出入口應(yīng)獨(dú)立設(shè)置，并應(yīng)根據(jù)設(shè)備 和物料的特征、性質(zhì)、形狀等設(shè)置凈化用室及相應(yīng)物料凈化設(shè)施 物料凈化用室與潔凈室之間應(yīng)設(shè)置氣閘室或傳遞窗。

1人員凈化用室入口處，應(yīng)設(shè)置凈鞋設(shè)施： 2 存外衣和更換潔凈工作服的設(shè)施應(yīng)分別設(shè)置； 3 外衣存衣柜應(yīng)按最大當(dāng)班人數(shù)每人一柜設(shè)置； 4 盛洗間宜設(shè)置在潔凈區(qū)外

和物料的特征、性質(zhì)、形狀等設(shè)置凈化用室及相應(yīng)物料凈化設(shè)施， 物料凈化用室與潔凈室之間應(yīng)設(shè)置氣閘室或傳遞窗

5.3.1設(shè)備布置應(yīng)預(yù)留人流、物流通道和設(shè)備安裝入口、設(shè)備更 新和檢修場(chǎng)地，設(shè)備之間應(yīng)有安全操作距離。 5.3.2易造成污染的物料應(yīng)設(shè)置專用出人口。 5.3.3微組裝生產(chǎn)線廠房?jī)?nèi)，靠近生產(chǎn)區(qū)宜設(shè)置與生產(chǎn)規(guī)模相適 應(yīng)的原輔物料、半成品和成品、工裝夾具存放設(shè)施。 5.3.4清洗、涂覆、焊接和返修工序應(yīng)設(shè)置單獨(dú)的排風(fēng)系統(tǒng)。

水電站標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范范本5.3.2易造成污染的物料應(yīng)設(shè)置專用出人口。

5.3.5設(shè)備布置應(yīng)兼顧二次配管配線接入方便